[发明专利]一种引线框架电容器和电容耦合隔离器电路在审
申请号: | 201310615922.9 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103617992A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州贝克微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L23/495;H01L21/48;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 电容器 电容 耦合 隔离器 电路 | ||
技术领域:
本发明涉及电容和电容耦合的隔离器电路,在集成电路封装中用来提供地面参考电位隔离。
背景技术:
隔离器通常用来将信号耦合在具有不同地面参考电位的电路之间。在某些情况下,各自的地面在高达几千伏的电位下可以有不同。一般来说,有三个在具有不同地面参考电位的电路之间提供隔离的方法:光电子耦合隔离、变压器耦合隔离、电容耦合隔离。光电子耦合和变压器耦合隔离的技术缺陷在于耦合的装置都相对庞大并且不能很好的在集成电路中使用。电容另一方面可以做的更小也可以集成在一个半导体模具上。
然而,过去尝试在单个半导体模具上提供一个电容耦合的隔离电路遇到了难题,如可靠性的约束,来自静电放电的损害和过电压崩溃。特别是,它已经被发现很难提供以二氧化硅为基底的电容器能够承受高压差值,这个问题经常在隔离电路中遇到。
另一个解决方案在先前被描述,在一个配置在被塑料密封的集成电路封装的陶瓷基片上形成隔离电容器,该电容器在两个半导体模具之间包含隔离电路的输入和输出级。然而,这样一个混合结构要求隔离电容器除了塑料包在单独的衬底上被提前制造。
鉴于上述,应该提供一个可以承受高压差值的电容,这样可以实现在没有额外的衬底的情况下在集成电路封装中作为一个隔离电容。
还需要提供一个可以在单个集成的封装里得到制造的隔离电容。
发明内容:
本发明的目的是提供一个可以承受高压差值的电容,这样可以实现在没有额外的衬底的情况下在集成电路封装中作为一个隔离电容。
本发明的另一个目的是提供一个可以在单个集成的封装里得到制造的隔离电容。
本发明的技术解决方案:
依照本发明的这些目的和其他目的,应该提供一个电容,该电容包括形成于适应用在传统集成电路中的引线框架结构的一部分的电极,它采用传统集成电路封装材料作为电容的结点材料。
还提供了一个隔离电路,其中一对上述引线框架的电容器都是用来在两个有各自参考地的电路之间提供隔离。该隔离电路在单个集成电路封装中被提供,利用传统集成电路的组装和包装技术可以被制造。
该隔离电路包括一个低功率数字隔离电路,拥有一个在传统集成电路设计中耦合在差分接收器是发射机。该数字隔离器电路中的可选噪声滤波器可以用来防止在输出端出现故障。另外,外部振荡器可以用于将数据输出和外部时钟设置成同步。
对比专利文献:CN202087927U片式钽电容组装机201120157070.X
附图说明:
本发明的上述目的和其他目的将在下面的描述和图中表现得更加明显,在这些图中:
图1是一个提供简化的表明电容是结合本发明的准则制作的示意图;
图2A是一张不完整的透视图,该图展现了用于结合本发明的准则形成的引线框架电容器;
图2B是图2A引线框架的剖视图;
图3是图2A-B附上半导体和电线的透视图;
图4A是图3在进行绝缘材料封装的引线框架的不完整透视图;
图4B是图4A的剖视图;
图5是隔离电路依照本发明的准则结合一对引线框架电容的原理框图;
图6是根据本发明的准则建造的低功率数字隔离器电路的详细方块图;
图7展现了上述图6数字隔离电路的各种信号波形;
图8是图6低功率数字隔离电路的引线框架的平面图。
具体实施方式:
图1是一个提供简化的表明电容是结合本发明的准则制作的示意图。电容10包括被嵌入的但又被绝缘介质16分开的电极12和14。电极12和14都是形成于用在传统集成电路配置中的引线框架结构的一部分。介电材料16是由用于在传统集成电路塑料封装中进行封装的模型材料制作的。在一个典型的隔离器电路应用中,电极12和14将通过传统的引线结合法被电气连接到工作在不同地面参考电位的差分集成电路上。
图2-4从各个方面说明体现了电容器10。图2A是一张不完整的透视图,该图展现了依照本发明原则由引线框架结构30提供一个电容。如图2A所示,引线框架结构30包括电容电极12和14以及芯片焊接板32和42。电极14包括电极条14A和14B,这两个电极条平行放置在单独的电极条12的两侧。连接电极12、14和焊盘时,30A起到临时支撑作用。引线框架结构30、电极12和14以及焊盘32和34还可以用传统的制造工艺制作(如冲压或腐蚀)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州贝克微电子有限公司,未经苏州贝克微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310615922.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种离合器导线绕组
- 下一篇:阶梯式组合换位导线的制作方法