[发明专利]栅极侧墙图形化的方法有效
| 申请号： | 201310616217.0 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103824765B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 图形 方法 | ||
1.一种栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，提供一具有栅极以及覆盖该栅极侧壁的第一侧墙的半导体结构，所述半导体结构还具有浅沟槽隔离，所述栅极包括多晶硅栅和栅氧化层；
S2，制备多晶碳层覆盖所述半导体结构的表面，所述多晶碳层覆盖所述栅极的顶壁、所述第一侧墙的表面、浅沟槽隔离的表面以及所述半导体结构暴露的表面；S3，部分去除所述多晶碳层，以于所述第一侧墙的表面上形成所述栅极的第二侧墙；
所述步骤S3细化为：
S301，部分去除所述多晶碳层，以于所述第一侧墙的表面上形成所述栅极的第二侧墙，所述第二侧墙为多晶碳侧墙；
S302，继续对所述半导体结构进行湿法清洗；
S4，继续对所述半导体结构进行源漏注入工艺后，去除所述第二侧墙；
S5，继续源漏的退火工艺。
2.如权利要求1所述的栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述多晶碳层的厚度为100-600埃。
3.如权利要求1所述的栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，所述步骤S4具体为，继续对所述半导体结构进行源漏注入工艺后，用含氧的等离子体去除所述第二侧墙。
4.如权利要求1所述的栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述退火工艺的温度为950-1100℃。
5.如权利要求1所述的栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，所述第一侧墙为偏移侧墙，所述第二侧墙为主侧墙。
6.如权利要求1所述的栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为1-20埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
