[发明专利]金属-介质-金属结构之光调制器及其制造方法

权利要求书

1.一种金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述金属-介质-金属结构之光调制器包括： 

中间电光材料介质层，在所述中间电光材料介质层的两侧加载外部电压时其介电常数发生改变； 

具有第一周期性空气孔的第一金属薄膜和具有第二周期性空气孔的第二金属薄膜，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜分别设置在所述中间光电材料介质层的两侧；以及， 

第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极与所述第一金属薄膜连接，所述第二金属电极与所述第二金属薄膜连接，并用于加载所述外部电压。 

2.如权利要求1所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述中间电光材料介质层为GaAs或LiNiO₃的其中之一。 

3.如权利要求2所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜具有相同的结构，且所述第一金属薄膜之第一周期性空气孔和所述第二金属薄膜之第二周期性空气孔具有相同的结构。 

4.如权利要求3所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一周期性空气孔和所述第二周期性空气孔的周期形状为正方形。 

5.如权利要求4所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一周期性空气孔和所述第二周期性空气孔的周期长度为50～100nm。 

6.如权利要求3所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一周期性空气孔和所述第二周期性空气孔的空气孔形状为圆形。 

7.如权利要求6所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一周期性空气孔和所述第二周期性空气孔的空气孔直径为30～80nm。 

8.如权利要求1～7任一权利要求所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜均为Cu、Ag或Au的其中之一材料。 

9.如权利要求1～7任一权利要求所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜的厚度范围为50～100nm。 

10.如权利要求1～7任一权利要求所述的金属-介质-金属结构之光调制器，其特征在于，所述中间电光材料介质层的厚度范围为30～50nm。 

11.一种制造如权利要求1所述的金属-介质-金属结构之光调制器的方法，其特征在于，所述方法包括： 

执行步骤S1：提供双面抛光的中间电光材料介质层； 

执行步骤S2：在所述中间电光材料介质层之两侧分别沉积所述第一金属 薄膜和所述第二金属薄膜； 

执行步骤S3：在所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜上分别制备结构相同的第一周期性空气孔和第二周期性空气孔； 

执行步骤S4：在所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜上分别形成与所述第一金属薄膜电连接的所述第一金属电极和与所述第二金属薄膜电连接的所述第二金属电极。 

12.如权利要求11所述的金属-介质-金属结构之光调制器的制造方法，其特征在于，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜的沉积方法为磁控溅射沉积方式，所述第一周期性空气孔和所述第二周期性空气孔是通过飞秒激光三维微细加工技术制备。