[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201310616492.2 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681439B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 于书坤;韦庆松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S101：提供包括半导体衬底以及位于其上的PMOS器件的伪栅极和栅极间隙壁的前端器件；
步骤S102：在所述半导体衬底位于所述PMOS器件的栅极间隙壁两侧的部分之中形成沟槽；
步骤S103：形成至少一部分位于所述沟槽内的嵌入式压应力层，其中，所述嵌入式压应力层包括镓化硅、镓砷掺杂的硅、砷镓掺杂的锗硅中的至少一种，以在提高压应力的同时降低扩展电阻和接触电阻。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，在所述嵌入式压应力层中还掺杂有硼。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成所述嵌入式压应力层的方法为外延生长法，在外延生长工艺中，用作镓掺杂或砷掺杂的前驱气体为无机物或有机物。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，用作镓掺杂的前驱气体为有机物，所述前驱气体包括GaH4、Ga2H6、GaCl4和GaF4中的至少一种。
5.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，用作镓掺杂的前驱气体为无机物，所述前驱气体包括Ga(OC2H5)4。
6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，用作砷掺杂的前驱气体为有机物，所述前驱气体包括AsH4、As2H6、AsCl4或AsF4中的至少一种。
7.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，用作砷掺杂的前驱气体为无机物，所述前驱气体包括As(OC2H5)4。
8.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，通过控制前驱气体中镓和砷的比率控制形成的所述嵌入式压应力层中镓和砷的比率。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述嵌入式压应力层中镓或砷的浓度为原子百分比0％-50％。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的PMOS器件，还包括位于所述PMOS器件的沟道区域两侧的至少一部分嵌入所述半导体衬底的嵌入式压应力层，其中，所述嵌入式压应力层包括镓化硅、镓砷掺杂的硅、砷镓掺杂的锗硅中的至少一种，以在提高压应力的同时降低扩展电阻和接触电阻。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述嵌入式压应力层中还掺杂有硼。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述嵌入式压应力层中镓或砷的浓度为原子百分比0％-50％。
13.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求10至12任一项所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
