[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其对基板实施等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，具备：

用于收容基板、对该基板实施等离子体处理的处理容器；

在所述处理容器内载置基板的基板载置台；

对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；

对所述处理容器内进行排气的排气机构；

在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成单元；和

向所述基板载置台上的基板的周边部供给捕获气体的捕获气体供给机构，该捕获气体捕获所述等离子体中的活性种。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理为等离子体蚀刻处理。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理气体为包含F、Cl和O中的至少一种的气体，所述捕获气体为氢气。

4.如权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为17～80%。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体蚀刻处理的蚀刻对象为形成于基板上的Si膜、SiN_x膜和Al膜中的任一者。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在蚀刻对象为Si膜的情况下，使用F作为活性种，所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为40～80%。

7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在蚀刻对象为SiN_x膜的情况下，使用F和O作为活性种，所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为17.1～34.3%。

8.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在蚀刻对象为Al膜的情况下，使用Cl作为活性种，所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为40～80%。

9.如权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述捕获气体供给机构设置于所述基板载置台的基板的周围。

10.如权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理气体供给机构具有在所述处理容器内向所述基板载置台上的基板以喷淋状供给处理气体的喷头，所述捕获气体供给机构设置在所述喷头的周围。

11.一种对基板实施等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于：

在处理容器内的基板载置台载置有基板的状态下，对处理容器内供给处理气体，在所述处理容器内生成处理气体的等离子体对基板进行等离子体处理，此时，对基板的周边部供给捕获所述等离子体中的活性种的捕获气体。

12.如权利要求11所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体处理为等离子体蚀刻处理。

13.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述处理气体为包含F、Cl和O中的至少一种的气体，所述捕获气体为氢气。

14.如权利要求12或13所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为17～80%。

15.如权利要求13或14所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体蚀刻处理的蚀刻对象为形成于基板上的Si膜、SiN_x膜和Al膜中的任一者。

16.如权利要求15所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在蚀刻对象为Si膜的情况下，使用F作为活性种，所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为40～80%。

17.如权利要求15所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在蚀刻对象为SiN_x膜的情况下，使用F和O作为活性种，所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为17.1～34.3%。

18.如权利要求15所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在蚀刻对象为Al膜的情况下，使用Cl作为活性种，所述捕获气体的原子数对所述处理气体中的活性种的原子数的比率为40～80%。