[发明专利]充电芯片中的充电控制系统

权利要求书

1.一种充电芯片中的充电控制系统，所述充电芯片适于对充电电池充电，其特征在于，包括恒压控制环路、恒流控制环路、输出电路以及偏置电路；

所述恒压控制环路适于对第一采样电压和第一基准电压进行误差放大处理以产生第一下拉电流，所述第一采样电压与电池电压相关，所述第一下拉电流在所述电池电压小于第一阈值电压时为零；

所述恒流控制环路适于对第二采样电压和第二基准电压进行误差放大处理以产生第二下拉电流，所述第二采样电压与充电电流相关，所述第二下拉电流在所述电池电压大于第二阈值电压时为零，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；

所述输出电路适于根据输入电流输出控制电压，所述控制电压的电压值随所述输入电流的增大而减小，所述输入电流包括所述第一下拉电流和所述第二下拉电流；

所述偏置电路适于向所述恒压控制环路、所述恒流控制环路以及所述输出电路提供偏置电压。

2.如权利要求1所述的充电芯片中的充电控制系统，其特征在于，所述恒压控制环路的开环增益大于所述恒流控制环路的开环增益。

3.如权利要求1所述的充电芯片中的充电控制系统，其特征在于，所述第一采样电压为对所述电池电压进行采样获得的电压，所述第二采样电压为对所述充电电流进行采样获得的电压。

4.如权利要求1所述的充电芯片中的充电控制系统，其特征在于，所述恒压控制环路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻；

所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极并适于输入所述偏置电压，所述第一PMOS管的源极适于输入电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第一PMOS管的衬底连接所述第二PMOS管的衬底并适于输入所述电源电压；

所述第二PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极、所述第三PMOS管的衬底、第四PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的衬底；

所述第三PMOS管的栅极适于输入所述第一采样电压，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极以及所述第二NMOS管的栅极；

所述第四PMOS管的栅极适于输入所述第一基准电压，所述第四PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的栅极；

所述第一NMOS管的源极连接所述第一电阻的一端、所述第三NMOS管的源极以及所述第三电阻的一端，所述第一NMOS管的衬底连接所述第一电阻的另一端并接地；

所述第二NMOS管的源极连接所述第二电阻的一端，所述第二NMOS管的衬底连接所述第二电阻的另一端并接地；

所述第三NMOS管的漏极为所述恒压控制环路输出所述第一下拉电流的输出端，所述第三NMOS管的衬底连接所述第三电阻的另一端并接地。

5.如权利要求4所述的充电芯片中的充电控制系统，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻以及所述第三电阻的电阻值相等。

6.如权利要求4所述的充电芯片中的充电控制系统，其特征在于，还包括恒压信号产生电路，所述恒压信号产生电路包括第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十六NMOS管以及第四电阻；

所述第十六PMOS管的栅极连接所述第十七PMOS管的栅极并适于输入所述偏置电压，所述第十六PMOS管的源极适于输入所述电源电压，所述第十六PMOS管的漏极连接所述第十七PMOS管的源极，所述第十六PMOS管的衬底连接所述第十七PMOS管的衬底并适于输入所述电源电压；

所述第十七PMOS管的漏极连接所述第十六NMOS管的漏极并适于输出恒压信号；

所述第十六NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的栅极，所述第十六NMOS管的源极连接所述第四电阻的一端，所述第十六NMOS管的衬底连接所述第四电阻的另一端并接地。