[发明专利]掘进机变频器

权利要求书

1.一种掘进机变频器，其特征在于：包括三相桥式不可控整流电路、滤波电路、预充电电路、放电电路、逆变电路、检测电路；

所述三相桥式不可控整流电路由第一-第六整流二极管（D1-D6）组成；

所述滤波电路包括滤波电感（L）、支撑电容（C1）；滤波电感（L）的左端与三相桥式不可控整流电路的正输出端连接；支撑电容（C1）的正极与滤波电感（L）的右端连接；支撑电容（C1）的负极与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；

所述预充电电路包括预充电电阻（Rc）；预充电电阻（Rc）的左端与滤波电感（L）的右端连接；预充电电阻（Rc）的右端与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；

所述放电电路包括第一放电电阻（Rf1）、第二放电电阻（Rf2）；第一放电电阻（Rf1）的左端、第二放电电阻（Rf2）的左端均与滤波电感（L）的右端连接；第一放电电阻（Rf1）的右端、第二放电电阻（Rf2）的右端均与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；

所述逆变电路包括第一-第六IGBT（T1-T6）、第一-第六驱动板（K1-K6）、第一-第三吸收电容（C11-C13）；第一IGBT（T1）的集电极与滤波电感（L）的右端连接；第一驱动板（K1）的两个信号输出端分别与第一IGBT（T1）的栅极和发射极连接；第二IGBT（T2）的集电极与第一IGBT（T1）的发射极连接；第二驱动板（K2）的两个信号输出端分别与第二IGBT（T2）的栅极和发射极连接；第二IGBT（T2）的发射极与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；第一吸收电容（C11）的正极与第一IGBT（T1）的集电极连接；第一吸收电容（C11）的负极与第二IGBT（T2）的发射极连接；第三IGBT（T3）的集电极与滤波电感（L）的右端连接；第三驱动板（K3）的两个信号输出端分别与第三IGBT（T3）的栅极和发射极连接；第四IGBT（T4）的集电极与第三IGBT（T3）的发射极连接；第四驱动板（K4）的两个信号输出端分别与第四IGBT（T4）的栅极和发射极连接；第四IGBT（T4）的发射极与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；第二吸收电容（C12）的正极与第三IGBT（T3）的集电极连接；第二吸收电容（C12）的负极与第四IGBT（T4）的发射极连接；第五IGBT（T5）的集电极与滤波电感（L）的右端连接；第五驱动板（K5）的两个信号输出端分别与第五IGBT（T5）的栅极和发射极连接；第六IGBT（T6）的集电极与第五IGBT（T5）的发射极连接；第六驱动板（K6）的两个信号输出端分别与第六IGBT（T6）的栅极和发射极连接；第六IGBT（T6）的发射极与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；第三吸收电容（C13）的正极与第五IGBT（T5）的集电极连接；第三吸收电容（C13）的负极与第六IGBT（T6）的发射极连接；

所述检测电路包括霍尔电压传感器（SV1）、第一-第三霍尔电流传感器（SC1-SC3）；霍尔电压传感器（SV1）的正输入端与滤波电感（L）的右端连接；霍尔电压传感器（SV1）的负输入端与三相桥式不可控整流电路的负输出端连接；第一霍尔电流传感器（SC1）串接于第一IGBT（T1）的发射极的引出端（U）；第二霍尔电流传感器（SC2）串接于第三IGBT（T3）的发射极的引出端（V）；第三霍尔电流传感器（SC3）串接于第五IGBT（T5）的发射极的引出端（W）。

2.根据权利要求1所述的掘进机变频器，其特征在于：所述第一-第六整流二极管（D1-D6）的反向击穿电压均为5000V，通态平均电流均为300A。

3.根据权利要求1所述的掘进机变频器，其特征在于：所述支撑电容（C1）的电容量均为3.6mF。

4.根据权利要求1所述的掘进机变频器，其特征在于：所述预充电电阻（Rc）的电阻值均为100Ω，功率均为300W。

5.根据权利要求1所述的掘进机变频器，其特征在于：所述第一-第六IGBT（T1-T6）的额定电压均为3300V，额定电流均为800A。

6.根据权利要求1所述的掘进机变频器，其特征在于：所述第一-第六驱动板（K1-K6）均为1IPSE1A33-60型驱动板。

7.根据权利要求1所述的掘进机变频器，其特征在于：所述第一-第三吸收电容（C11-C13）的额定电压均为2000V，电容量均为1.0μF。