[发明专利]一种能够调节的电流采样电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别涉及用于模拟集成电路中的一种能够调节的电流采样电路。

背景技术

在集成电路的中，尤其是模拟集成电路中，为了检测大电流，因为功耗等的要求需要对电流进行采样后在进行检测。而通常的电流的采样电路只能有一种采样值。

这样的方案主要存在以下缺陷：

因为只能采样一种电流，所以它所能检测的电流值只有一种，不便于实现多种电流值的采样检测。

发明内容

为了解决电流检测电路只能采样一种电流值，不便于实现多种电流值的采样检测的缺点。

本发明的解决方案如下：

一种能够调节的电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管（3）、采样功率NMOS管M2（4）、采样功率NMOS管M3（5）、采样功率NMOS管M4（6）和采样电阻Rs（8），分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）的栅极接电源Vin，采样电阻Rs（8）的一端接采样管M2（4）、M3（5）、M4（6）的源极，另一端接地。采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）的栅极由能够调节的连接部件控制；

所述能够调节的电流采样电路中的能够调节的连接部件为熔丝。

所述能够调节的电流采样电路中中的能够调节的连接部件为聚焦离子束。

本发明具有以下优点：

通过熔丝或者FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)就可以实现不同的采样电流值。不需要额外的控制电路或者输入信号即可实现，方式简单，成本低廉。

附图说明

图1为本发明的示意图。

具体实施方式

    如图1所示，M1、M2、M3、M4为功率NMOS管。M1为分流管，M2、M3、M4为采样管。其中M1、M2栅极接电源Vin，因此M1、M2是处于常导通状态，为固定接入状态。M3、M4的导通状态通过熔丝7进行控制。M3、M4的栅极分别通过熔丝7可接到电源或地。当M3、M4的栅极通过熔丝7接到电源时M3、M4导通；当M3、M4的栅极通过熔丝7接到地时M3、M4截止。根据实际需要选择设置熔丝的连接状态，从而控制M3、M4的导通状态。管脚Ps 接功率MOS管M1、M2、M3、M4的漏极。采样电阻Rs一端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地。

图1中的熔丝为全部连接的状态，这只是示意图。而实际使用中熔丝需要进行选择设置，而不能全部接通，即M3和M4的栅极不能同时接电源和地。

Ps 中有电流输入。因为M1、M2是处于常导通状态，Ps 中的电流流过M1、M2，流过M1的电流直接到地，而流过M2的电流流入采样电阻Rs，当通过设置熔丝7控制的M3和/或M4导通时，Ps 中的电流流过它们后，流入采样电阻Rs。流入的电流在采样电阻Rs产生电压Vs后输出给后续电路。

其中M1、M2、M3、M4的大小以一定的比例设置。所设置的比例值根据电路的具体情况而定。通过熔丝7对M3和/或M4导通状态的控制，可以通过M2、M3、M4得到不同的采样电流，因此通过采样电阻Rs也就可以产生不同的电压Vs。M2、M3、M4导通的越多，采样的电流越大，产生的采样电压Vs也就越大。最大时为M2、M3、M4全部导通。采样电流具体见下表1（信号A、B不同状态对应采样值）。

实际中，对于M3、M4栅极接电源或地的连接方式，不仅限于是熔丝一种形式，还可以是FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)或者其他的能够调节的连接部件。只要能根据需要控制M3、M4栅极状态即可。