[发明专利]一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺

权利要求书

1.一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：它依次包括以下步骤：

步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;

步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;

步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；

步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10-15um厚的耐酸胶进行保护；

步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；

步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12um厚的绝缘胶；

步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。

2.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成: 

 Na₂CO₃        0.7-1.2 wt% 

 Na₂CO₃.H₂O    0.8-1.3 wt% 

 K₂CO₃         0.8-1.2 wt%

余量为水。

4.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15-25%，氯化铁溶液的质量浓度为2-8%。

5.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%-5%的氢氧化钠溶液。

6. 根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。

7.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。

8.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。

9.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。

10.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。