[发明专利]光子传感器以及制造该传感器的方法

权利要求书

1.一种光子传感器，包括：

由至少一个修长元件支撑的平台；

平台上的温度传感器；以及

形成在平台上或者作为平台一部分的结构。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中该结构被刻蚀至平台内以减少平台的质量。

3.根据权利要求2所述的传感器，其中该结构包括多个空隙。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中空隙形成了多个交叉的沟槽。

5.根据权利要求3所述的传感器，其中空隙在平台内不具有统一深度。

6.根据权利要求5所述的传感器，其中一些空隙的一部分延伸穿过平台的深度。

7.根据权利要求1所述的传感器，其中平台包括金属层。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中平台进一步包括与金属层相关的半导体层。

9.根据权利要求7所述的传感器，其中平台进一步包括氮化物层。

10.根据权利要求8所述的传感器，具有从金属层的第一侧延伸的多个圆柱或山丘形结构。

11.根据权利要求10所述的传感器，其中以小于λ的内部结构规模形成多个圆柱或山丘形结构，其中λ是将被检测的最大波长并且不大于50×10^-6。

12.根据权利要求7所述的传感器，其中多个孔延伸通过第一金属层，并且通过与金属层的第二侧邻接布置的任何层。

13.根据权利要求1所述的传感器，包括真空腔体内布置成矩阵的通过窗口在第一侧交界的多个平台。

14.根据权利要求1所述的传感器，其中平台由两个或者更多修长支脚支撑，所述修长支脚在与平台的界面具有小于平台外周的四分之一的组合宽度。

15.根据权利要求1所述的传感器，其中温度传感器是热电偶结。

16.根据权利要求15所述的温度传感器，其中热电偶结包括下述之一：

a)多晶硅-多晶硅结，其中掺杂浓度在结中变化；

b)SiGe-SiGe结。

17.根据权利要求1所述的传感器，进一步包括平台上的或者与邻接平台的导体，用于向平台提供欧姆加热。

18.根据权利要求1所述的传感器，其中温度传感器是随温度变化的电阻器。

19.一种形成光子传感器的方法，包括处理半导体衬底的一部分从而形成被至少一个支脚保持至支撑结构的平台，而且进一步包括在平台的上表面形成子波长结构，所述结构包括多个隔离的或互连的直立区域。

20.根据权利要求19所述的方法，其中该处理包括掩模和刻蚀衬底以形成平台。

21.根据权利要求20所述的方法，其中平台被进一步刻蚀以形成穿过平台以处于刻蚀平台之下的多个孔，从而将其从与下面的衬底的接触释放。

22.根据权利要求19所述的方法，其中支脚或每个支脚是修长的。