[发明专利]操作器件晶片和叠层结构的方法和处理叠层结构的装置

权利要求书

1.一种用于操作器件晶片的方法，包括：

提供包含器件晶片、操作器晶片和器件晶片与操作器晶片之间的接合结构的叠层结构，其中，接合结构包含粘接剂层和金属薄层，并且，接合结构使器件晶片与操作器晶片相互接合；和

用红外能量照射接合结构，以烧蚀接合结构。

2.根据权利要求1的方法，其中，用红外能量照射接合结构以烧蚀接合结构包含：

在操作器晶片上引导脉冲红外激光束；和

跨着叠层结构的至少一部分扫描脉冲红外激光束以激光烧蚀接合结构的至少一部分。

3.根据权利要求1的方法，其中，红外能量的波长处于约5μm～约30μm的范围中。

4.根据权利要求1的方法，其中，用红外能量照射接合结构以烧蚀接合结构包含通过使用红外能量汽化金属薄层的至少一部分。

5.根据权利要求1的方法，其中，用红外能量照射接合结构以烧蚀接合结构包含汽化金属薄层的至少一部分和粘接剂层与金属薄层之间的界面上的粘接剂层的至少一部分。

6.根据权利要求1的方法，其中，金属薄层具有约5纳米～100纳米的范围中的厚度。

7.根据权利要求1的方法，其中，金属薄层由Al、Sn和Zn中的至少一种形成。

8.根据权利要求1的方法，其中，叠层结构包含设置在接合结构与器件晶片之间的用于避免器件晶片被红外能量照射的保护性金属层。

9.根据权利要求1的方法，其中，粘接剂层包含具有红外能量吸收纳米粒子的聚合物材料。

10.根据权利要求1的方法，其中，纳米粒子包含至少一种Sn、Zn、Al、碳纳米管和石墨烯。

11.根据权利要求1的方法，其中，操作器晶片是硅操作器晶片。

12.一种叠层结构，包括：

器件晶片；

操作器晶片；和

设置在器件晶片与操作器晶片之间的接合结构，其中，接合结构使器件与操作器晶片相互接合，其中，接合结构包含：

粘接剂层；和

用作接合结构的通过金属层的红外烧蚀的可释放层的金属层。

13.根据权利要求12的叠层结构，其中，部分地由于金属层的红外能量的吸收，粘接剂层还用作粘接剂层与金属层之间的界面上的粘接剂层的至少一部分的红外烧蚀的可释放层。

14.根据权利要求12的叠层结构，其中，金属层通过具有约5μm～约30μm的范围中的波长的红外能量的照射被烧蚀。

15.根据权利要求12的叠层结构，其中，金属薄层具有约5纳米～100纳米的范围中的厚度。

16.根据权利要求12的叠层结构，其中，金属薄层由Al、Sn和Zn中的至少一种形成。

17.根据权利要求12的叠层结构，其中，金属层在操作器晶片的表面上形成。

18.根据权利要求12的叠层结构，其中，金属层形成有粗糙表面以增加金属层与粘接剂层之间的接触面积。

19.根据权利要求12的叠层结构，其中，粘接剂层包含第一粘接剂层和第二粘接剂层，其中，金属层被设置在第一粘接剂层与第二粘接剂层之间。

20.根据权利要求12的叠层结构，还包括设置在接合结构与器件晶片之间的用于避免器件晶片被红外能量照射的保护性金属层。

21.根据权利要求20的叠层结构，其中，保护性金属层由钛、金或铜中的至少一种形成。

22.根据权利要求12的叠层结构，其中，粘接剂层包含具有红外能量吸收纳米粒子的聚合物材料。

23.根据权利要求22的叠层结构，其中，纳米粒子由Sn、Zn、Al、碳纳米管和石墨烯中的至少一种形成。

24.根据权利要求12的叠层结构，其中，操作器晶片和器件晶片是硅晶片。