[发明专利]存储系统、半导体器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201310625216.2 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN104240751B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 金志烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 读取操作 标志数据 存储系统 半导体存储器件 储存 读取 半导体器件 标志寄存器 存储器阵列
【说明书】:

一种存储系统、半导体存储器件及其操作方法可以在执行读取操作时基于储存在标志寄存器中的标志数据来执行读取操作,而不读取储存在存储器阵列中的标志数据,使得可以减少读取操作所花费的时间。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年6月12日提交的申请号为10-2013-0067298的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种示例性实施例涉及电子器件,更具体而言,涉及存储系统、半导体存储器件、以及操作存储系统和半导体存储器件的方法。

背景技术

半导体存储器件可以被分成易失性存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件典型地执行高速数据读取和写入操作,但在切断电源时保存的数据会丢失。非易失性存储器件以较低的写入速度和读取速度操作,但即使在切断电源时也保存储存的数据。因此,无论电源如何都可以利用非易失性存储器件来储存要保持的数据。非易失性存储器件的实例包括:只读存储器(ROM)器件、可编程只读存储器(PROM)器件、电可编程只读存储器(EPROM)器件、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)器件、快闪存储器件、相变随机存取存储器(RAM)器件、磁性随机存取存储器(MRAM)器件、阻变随机存取存储器(RRAM)器件、铁电随机存取存储器(FRAM)器件等。快闪存储器件可以被典型地分成或非(NOR)器件和与非(NAND)器件。

快闪存储器件利用RAM和ROM器件二者的优点。例如,快闪存储器件可以与RAM器件类似地被任意编程和擦除。与ROM器件类似,快闪存储器件即使不供电时也能保持储存的数据。快闪存储器件已经广泛地用作诸如移动电话、数码照相机、个人数字助理(PDA)以及MP3播放器的便携式电子器件的存储媒介。

近来,由于储存在半导体存储器件的单个存储器单元中的数据的比特数目增加,所以半导体存储器件的读取操作所花费的时间也可能增加。

因此,亟需半导体存储器件的有效读取操作。

发明内容

本发明的各种示例性实施例针对可以有效地执行读取操作的存储系统、半导体存储器件、以及操作存储系统和半导体存储器件的方法。

根据本发明的一个实施例的操作存储系统的方法可以包括:读取半导体存储器件的存储块的每个字线的标志数据,所述标志数据储存在存储块之一中,以及将标志数据储存在半导体存储器件外部的随机存取存储器(RAM)中;读取RAM中的标志数据,并且将标志数据储存在半导体存储器件的标志寄存器中;以及基于储存在标志寄存器中的标志数据、响应于页地址而对选中的页的存储器单元执行读取操作。

根据本发明的另一个示例性实施例的操作存储系统的方法可以包括以下步骤:检查每个字线的标志数据是否储存在半导体存储器件的标志寄存器中,当标志数据未储存在标志寄存器中时,在半导体存储器件中利用适用于控制半导体存储器件的操作的控制器来对选中的字线执行最高有效位(MSB)页读取操作;将通过MSB页读取操作确定的标志数据储存在标志寄存器中;以及基于储存在标志寄存器中的选中的字线的标志数据而对选中的字线执行最低有效位(LSB)页读取操作。

根据本发明的一个示例性实施例的操作半导体存储器件的方法可以包括以下步骤:读取存储块的每个字线的标志数据,所述标志数据储存在存储块之一中;将标志数据储存在标志寄存器中;以及基于储存在标志寄存器中的标志数据、响应于页地址来对选中的页的存储器单元执行读取操作。

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