[发明专利]具有集成光伏电池的器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造具有集成光伏电池的器件的方法，包括：

在第一处理衬底上支撑半导体衬底；

对所述半导体衬底进行掺杂以形成具有相反导电性的交替区域；

在所述半导体衬底的第一侧上形成至少一个掺杂层，每个所述掺杂层具有单一类型的导电性；以及

在所述至少一个掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与所述交替区域对准，从而在单片结构上界定串联连接的多个光伏电池。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述单片结构转移到第二处理衬底；以及

从所述第一处理衬底剥离所述单片结构以暴露所述半导体衬底的第二侧。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底的所述第二侧上形成至少一个另外的掺杂层；以及

在所述至少一个另外的掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与具有相反导电性的所述交替区域对准，从而进一步在所述单片结构上界定串联连接的所述多个光伏电池。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第二处理衬底是透明的，并且所述单片结构形成双面器件。

5.如权利要求3所述的方法，还包括去除所述第二处理衬底以形成双面器件。

6.如权利要求3所述的方法，还包括在所述至少一个另外的掺杂层与所述半导体衬底之间形成本征层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成至少一个掺杂层包括穿过所述多个电池形成连续的掺杂层，所述至少一个掺杂层包括半导体材料的掺杂非晶体形式以防止所述多个电池之间的横向导电。

8.如权利要求1所述的方法，还包括使用所述导电岛作为蚀刻掩膜蚀刻所述至少一个掺杂层。

9.如权利要求8所述的方法，还包括在所述至少一个掺杂层与所述半导体衬底之间形成具有与所述至少一个掺杂层相同的导电性的掺杂的氢化晶体层，以及根据所述蚀刻掩膜蚀刻所述掺杂的氢化晶体层。

10.如权利要求1所述的方法，还包括在所述至少一个掺杂层与所述半导体衬底之间形成本征层。

11.一种用于制造具有集成光伏电池的器件的方法，包括：

对绝缘体上半导体衬底的掩埋电介质层上的半导体层进行掺杂，以跨所述半导体层形成具有较高和较低掺杂剂浓度的交替区域；

在所述半导体层的第一侧上形成至少一个掺杂层，每个所述掺杂层具有单一类型的导电性；以及

在所述至少一个掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与具有高和低掺杂浓度的所述交替区域对准，从而在单片结构上界定串联连接的多个光伏电池。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

在所述至少一个掺杂层与所述半导体层之间形成本征层。

13.如权利要求11所述的方法，其中，形成至少一个掺杂层包括穿过所述多个电池形成连续的掺杂层，所述至少一个掺杂层包括半导体材料的掺杂非晶体形式以防止所述多个电池之间的横向导电。

14.如权利要求11所述的方法，还包括使用所述导电岛作为蚀刻掩膜蚀刻所述至少一个掺杂层。

15.如权利要求14所述的方法，还包括在所述至少一个掺杂层与所述半导体衬底之间形成具有与所述至少一个掺杂层相同的导电性的掺杂的氢化晶体层，以及根据所述蚀刻掩膜蚀刻所述掺杂的氢化晶体层。

16.一种用于制造具有集成光伏电池的器件的方法，包括：

对绝缘体上半导体衬底的掩埋电介质层上的半导体层进行掺杂，以跨所述半导体层形成具有较高和较低掺杂剂浓度的交替区域；

在所述半导体层的第一侧上形成至少一个掺杂层半导体，所述至少一个掺杂层包括氢化晶体半导体材料，每个所述掺杂层具有单一类型的导电性；

在所述至少一个掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与具有高和低掺杂浓度的所述交替区域对准，从而在单片结构上界定串联连接的多个光伏电池；以及

使用所述导电岛作为蚀刻掩膜蚀刻所述至少一个掺杂层，以在与所述多个光伏电池中的每一个对应的所述至少一个掺杂层的部分之间产生间隔。