[发明专利]彩色液晶显示面板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201310625529.8 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103728765A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 钟新辉;李冠政 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 彩色 液晶显示 面板 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种彩色液晶显示面板及其制作方法。

背景技术

液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩色滤光膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)基板、夹于彩色滤光膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)材料及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(薄膜晶体管基板与彩色滤光膜基板贴合)及后段模组组装制程(驱动电路(IC)与印刷电路板压合)。其中,前段阵列(Array)制程主要是形成薄膜晶体管基板,以便于控制液晶分子的运动;中段成盒(Cell)制程主要是在薄膜晶体管基板与彩色滤光膜基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动电路压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。

参见图1,其为现有液晶显示面板的结构示意图,现有的液晶显示面板主要包括由上至下分层配置的上偏光片100、彩色滤光膜基板110、染料液晶层120、薄膜晶体管基板130、及下偏光片140,各层由上至下顺序层叠在一起组成显示面板。

为实现全彩显示,通常采用在液晶显示面板的一片玻璃(通常为与薄膜晶体管基板玻璃相对设置的上玻璃,也可以为薄膜晶体管基板玻璃)上通过涂布、曝光、显影的办法制成彩色滤光膜基板,利用空间混色原理,实现全彩显示。

但是彩色滤光膜基板只可以让部分波段的光线通过,且需要借助偏光片的对光线进行偏振,所以通过彩色滤光膜基板之后的光强会衰减为原来的约33%,这是目前LCD光效率较低的原因之一,同时,由于需要设置偏光片且彩色滤光膜基板需要通过涂布、曝光、显影等工艺制成,制程较为繁琐,成本较高,不利于生产成本的管控。

发明内容

本发明的目的在于提供一种彩色液晶显示面板,其结构简单,不需要设置偏光片和制作彩色滤光膜基板,生产制程简单,降低了液晶显示面板的制造成本以及对背光亮度的要求,提高了光穿透率及光效率。

本发明的另一目的在于提供一种彩色液晶显示面板的制作方法,其简化了液晶显示面板的生产制程,降低了液晶显示面板的制造成本,且其制作的液晶显示面板降低了对背光亮度的要求,提高了光穿透率及光效率。

为实现上述目的,本发明提供一种彩色液晶显示面板,包括:一第一基板、一贴合于该第一基板上的第二基板、形成于该第一基板上的数个亚像素区域、设于该些亚像素区域内的染料液晶层及设于第一基板边缘上且将第一、第二基板密封贴合的密封胶框,所述染料液晶层包括液晶材料、二色性染料及手性剂,所述染料液晶层根据其中的二色性染料的种类吸收一预定波长范围的光,以使该些亚像素区域分别吸收波长范围不同的光,所述第一基板上形成有黑色矩阵挡墙,该黑色矩阵挡墙包括数个挡壁,每一亚像素区域由四个依次相连的挡壁围成,所述第二基板朝向第一基板的表面抵靠于所述黑色矩阵挡墙上,进而将各亚像素区域内的染料液晶层密封于对应的亚像素区域内。

所述数个挡壁分别具有第一与第二高度,第一高度高于第二高度,相邻的且染料液晶层内二色性染料种类不同的两亚像素区域之间的挡壁具有第一高度,相邻的且染料液晶层内二色性染料种类相同的两亚像素区域之间的挡壁具有第二高度。

所述第一基板为封装基板,该封装基板包括一第一透明基板、形成于所述第一透明基板上的公共电极、形成于所述公共电极上第一平坦化层、及形成于所述第一平坦化层上的第一配向层,所述黑色矩阵挡墙形成于所述第一配向层上;所述第二基板为薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板包括一第二透明基板、形成于所述第二透明基板上的数根栅极线、形成于所述第二透明基板上的数根数据线、形成于所述第二透明基板上的薄膜晶体管阵列、形成于所述薄膜晶体管阵列上的保护层、形成于所述保护层上的数个像素电极、形成于所述像素电极及保护层上的第二平坦化层、及形成于所述第二平坦化层上的第二配向层。

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