[发明专利]一种新型的可控硅触发电路

权利要求书

1.一种新型的可控硅触发电路，包括整流电路、上电缓冲电阻（RL）、母线电容（C）、可控硅（SCR），所述整流电路、上电缓冲电阻（RL）、母线电容（C）依次首尾连接，可控硅（SCR）与上电缓冲电阻（RL）并联连接，其特征在于：还包括可控硅正向电压检测电路、驱动电路、驱动变压器（T1）；所述可控硅正向电压检测电路的输入端a、输出端b分别与可控硅（SCR）的阳极、阴极连接，可控硅正向电压检测电路的触发端c与驱动电路连接后再接入驱动变压器（T1）的初级线圈的一端，驱动变压器（T1）的初级线圈的另一端接入可控硅正向电压检测电路的输出端b，驱动变压器（T1）的次级线圈的一端接入可控硅（SCR）的控制极，驱动变压器（T1）的次级线圈的另一端接入可控硅（SCR）的阴极；所述可控硅正向电压检测电路内部设有比较电路，当可控硅（SCR）的阳极、阴极之间的正向电压超过比较电路设置的电压阈值时，可控硅正向电压检测电路的触发端c与驱动电路导通、并控制驱动变压器驱动可控硅（SCR）导通。

2.如权利要求1所述的可控硅触发电路，其特征在于：所述可控硅正向电压检测电路由第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、三极管（Q1）、稳压二极管（Z1）组成，所述稳压二极管（Z1）即为可控硅正向电压检测电路内部设置的比较电路；可控硅正向电压检测电路的输入端a接第一电阻（R1）、第二电阻（R2）后再与三极管（Q1）的基极连接，三极管（Q1）的发射极与稳压二极管（Z1）的负极连接，稳压二极管（Z1）的正极即为可控硅正向电压检测电路的输出端b；三极管（Q1）的集电极即为可控硅正向电压检测电路的触发端c；

所述驱动电路由电源（+VD5）、第六电阻（R6）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、MOS管（Q2）、第五电阻（R5）组成；所述三极管（Q1）的集电极接第四电阻（R4）、第三电阻（R3）后再接入电源（+VD5）；电源（+VD5）通过第六电阻R6分压并将分压接入整流电路的输出端及可控硅正向电压检测电路的输入端a；所述MOS管（Q2）的控制极接入第四电阻（R4）、第三电阻（R3）之间，MOS管（Q2）的源极接入电源（+VD5），MOS管（Q2）的漏极与第五电阻（R5）的一端连接，第五电阻（R5）的另一端接入驱动变压器（T1）的初级线圈的一端，驱动变压器（T1）的初级线圈的另一端接入稳压二极管（Z1）的正极；所述驱动变压器（T1）的次级线圈的一端连接至可控硅（SCR）的控制极，驱动变压器（T1）的次级线圈的另一端接至可控硅（SCR）的阴极。

3.如权利要求1所述的可控硅触发电路，其特征在于：所述整流电路由二极管D2构成，整流电路的输出端与上电缓冲电阻（RL）之间设有二极管（D1），二极管（D2）的阴极同时与二极管（D1）的阳极、可控硅（SCR）的阳极连接，二极管（D1）的阴极接上电缓冲电阻（RL）的一端，上电缓冲电阻（RL）的另一端同时与母线电容（C）的一端、可控硅（SCR）的阴极连接，母线电容（C）的另一端接入二极管（D2）的阳极。

4.如权利要求2所述的可控硅触发电路，其特征在于：所述MOS管（Q2）的型号为IRFR9120N。