[发明专利]N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度，并通入硼源、氧气和氮气使其在所述硅片表面进行沉积，在所述沉积阶段，所述沉积的温度为890℃～940℃，所述沉积的时间为15～40分钟，所述氮气的流量为22～24slm，所述氧气的流量为30sccm～320sccm，所述硼源的流量为120sccm～1000sccm；

推进扩散阶段，停止通入氧气和硼源，继续通入氮气，同时将表面沉积后的所述硅片升温至预定扩散温度，推进扩散，以5～15℃/分钟将表面沉积后的所述硅片升温至950℃～1000℃，恒温扩散20～30分钟；以及

后氧化阶段，将扩散后的所述硅片降温，并在所述降温的过程中通入所述氧气和所述氮气，在所述后氧化阶段，所述氧气的流量为10～20slm，所述氮气的流量为5slm～10slm。

2.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，在所述沉积阶段，所述沉积的温度为900℃～930℃，所述沉积的时间为20～30分钟，所述氮气的流量为22～23slm，所述氧气的流量为30sccm～160sccm，所述硼源的流量为120sccm～450sccm。

3.根据权利要求2所述的硼扩散方法，其特征在于，在所述沉积阶段，所述沉积的温度为925℃，所述沉积的时间为25分钟，所述氮气的流量为22.5slm，所述氧气的流量为65sccm，所述硼源的流量为200sccm。

4.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，以10℃/分钟将表面沉积后的所述硅片升温至960℃，恒温扩散25分钟。

5.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，以4～5.2℃/分钟将表面沉积后的所述硅片降温至750℃～850℃。

6.根据权利要求5所述的硼扩散方法，其特征在于，以4～5.2℃/分钟将表面沉积后的所述硅片降温至800℃。

7.一种晶体硅太阳能电池的制作方法，包括硼扩散步骤，其特征在于，所述硼扩散步骤采用权利要求1至6中任一项所述的硼扩散方法。

8.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，采用权利要求7所述的制作方法制作而成。