[发明专利]晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法

权利要求书

1.一种用于晶体硅太阳能电池的硼扩散装置，包括：

炉管（10），具有第一进气口（12）；以及

尾气瓶（20），与所述炉管（10）的尾部连通；

其特征在于，所述第一进气口（12）设置在所述炉管（10）的管壁上，且位于所述炉管（10）的水平方向中分面以上。

2.根据权利要求1所述的硼扩散装置，其特征在于，所述第一进气口（12）设置在靠近炉门（11）一端的所述炉管（10）的管壁上。

3.根据权利要求1所述的硼扩散装置，其特征在于，所述炉管（10）还具有第二进气口（13），所述第二进气口（13）设置在炉门（11）的中心位置处。

4.根据权利要求1所述的硼扩散装置，其特征在于，所述第一进气口（12）为两个，两个所述第一进气口（12）对称地设置在所述炉管（10）的竖直方向中分面两侧的管壁上。

5.根据权利要求4所述的硼扩散装置，其特征在于，两个所述第一进气口（12）与所述炉管（10）的竖直方向中分面之间的弧度夹角为θ，其中45°≤θ≤75°。

6.根据权利要求5所述的硼扩散装置，其特征在于，两个所述第一进气口（12）与所述炉管（10）的竖直方向中分面之间的弧度夹角θ为60°。

7.根据权利要求2所述的硼扩散装置，其特征在于，还包括设置在所述炉管（10）的底部的尾气导气管，所述尾气导气管的第一端延伸至所述炉门（11）处，所述尾气导气管的第二端延伸至所述尾气瓶（20）内。

8.一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将制绒后的硅片放入权利要求1至7中任一项所述的硼扩散装置中；

S2，升温所述硅片，同时通入硼源、氧气以及第一氮气，使所述硼源和所述氧气在所述硅片表面沉积扩散；以及

S3，降温，并向所述硅片的表面通入水蒸汽，湿氧氧化，得到硼扩散后的所述硅片。

9.根据权利要求8所述的硼扩散方法，其特征在于，升温所述硅片至930℃～950℃，所述硼源为三溴化硼，所述硼源的流量为200sccm～400sccm，所述氧气的流量为65sccm～150sccm，所述第一氮气的流量为15.5slm～19.0slm，所述沉积扩散的时间为30～40分钟。

10.根据权利要求8所述的硼扩散方法，其特征在于，所述步骤S3中降温至700～750℃，所述水蒸汽的流量为400sccm～1000sccm，所述湿氧化的时间为10～20分钟。