[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种用于在集成电路中制造一条或多条导电线路的方法，该方法包括：

对过渡金属层进行构图以形成所述一条或多条导电线路；以及

在所述一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。

2.权利要求1所述的方法，其中，所述保护帽盖形成在所述一条或多条导电线路当中的所述至少一部分中的每一条的一侧上。

3.权利要求1所述的方法，其中，所述保护帽盖密封所述一条或多条导电线路当中的所述至少一部分中的每一条的三侧。

4.权利要求1所述的方法，其中，所述一条或多条导电线路具有亚80纳米的线路宽度。

5.权利要求1所述的方法，其中，所述一条或多条导电线路具有亚80纳米的间距。

6.权利要求1所述的方法，其中，所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。

7.权利要求1所述的方法，其中，使用原子层沉积进行所述沉积。

8.权利要求1所述的方法，其中，所述保护帽盖包括难熔金属氮化物。

9.权利要求8所述的方法，其中，所述难熔金属氮化物包括氮化钽。

10.权利要求8所述的方法，其中，所述难熔金属氮化物包括氮化钛。

11.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括钽。

12.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括钛。

13.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括钒。

14.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括铪。

15.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括钴。

16.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括镍。

17.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括铌。

18.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括非铜过渡金属。

19.权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属包括钨。

20.一种集成电路，包括：

多个半导体器件；以及

连接所述多个半导体器件的多条导电线路，其中所述多条导电线路当中的至少一部分包括：

过渡金属层；以及

沉积在所述过渡金属层上的保护帽盖。

21.权利要求20所述的集成电路，其中，所述保护帽盖形成在所述过渡金属层的一侧上。

22.权利要求20所述的集成电路，其中，所述保护帽盖密封所述过渡金属层的三侧。

23.权利要求20所述的集成电路，其中，所述一条或多条导电线路具有亚80纳米的线路宽度。

24.权利要求20所述的集成电路，其中，所述一条或多条导电线路具有亚80纳米的间距。

25.权利要求20所述的集成电路，其中，所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。

26.权利要求20所述的集成电路，其中，所述保护帽盖包括难熔金属氮化物。

27.权利要求26所述的集成电路，其中，所述难熔金属氮化物包括氮化钽。

28.权利要求26所述的集成电路，其中，所述难熔金属氮化物包括氮化钛。

29.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括钽。

30.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括钛。

31.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括钒。

32.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括铪。

33.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括钴。

34.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括镍。

35.权利要求20所述的集成电路，其中，所述过渡金属包括锆。