[发明专利]一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法

权利要求书

1.一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一图形化衬底，在所述衬底上生长缓冲层；

2)在所述缓冲层上生长氧化硅薄膜；

3)光刻步骤2）得到的衬底，将其表面分割成若干个方格子，并暴露出缓冲层；

4)在所述方格子四周的缓冲层内形成沟道；

5)对所述形成的沟道进行清洗；

6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜；

7)在步骤6）得到的衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层及P型半导体层。

2.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤2）中生长的所述氧化硅薄膜的厚度为800～8000埃。

3.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤4）中形成所述沟道的工艺为光刻和刻蚀或激光划片工艺。

4.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道将图形化衬底表面分割成若干个和最终芯片尺寸完全一样的小区间。

5.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道的深度h为10～25μm。

6.根据权利要求5所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道的深度h为20μm。

7.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤1）中所述图形化衬底为Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。

8.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤5）中使用强酸或强碱溶液对所述形成的沟道进行清洗。

9.根据权利要求8所述的大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于：步骤5）中使用加热至200～350℃的强酸或强碱溶液对所述形成的沟道进行清洗。