[发明专利]一种大尺寸图形化衬底的制作方法

权利要求书

1.一种大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一衬底，将其制备成表面具有若干个微小图形包的图形化衬底；

2)在所述图形化衬底表面生长一层氧化硅薄膜；

3)光刻步骤2）得到的衬底，将其表面分割成若干个方格子，并暴露出所述微小图形包；

4)在所述方格子四周形成沟道；

5)将暴露出的微小图形包腐蚀掉，使方格子四周表面保持平滑；

6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤1）中将所述衬底制备成表面具有若干个微小图形包的图像化衬底的过程，至少包括以下步骤：

a）在所述衬底表面上形成一层光刻胶掩膜；

b）采用光刻技术将所述光刻胶掩膜图形化，以形成所期望的图形；

c）采用回流技术融化所述光刻胶掩膜，使其形成微小图形包；

d）采用刻蚀工艺将光刻胶掩膜上的图形轮廓传递到衬底上，在所述衬底上形成微小图形包结构。

3.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤2）中生长的所述氧化硅薄膜的厚度为800～8000埃。

4.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤4）中形成所述沟道的工艺为光刻和刻蚀或激光划片工艺。

5.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道将图形化衬底表面分割成若干个和最终芯片尺寸完全一样的小区间。

6.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道与对应方格子各边之间的距离d为5～50μm。

7.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道深入所述衬底的深度h为10～25μm。

8.根据权利要求7所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤4）中所述沟道深入所述衬底的深度h为20μm。

9.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤1）中所述衬底为Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。

10.根据权利要求1所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤5）中使用强酸或强碱溶液将暴露出的微小图形包腐蚀掉。

11.根据权利要求10所述的大尺寸图形化衬底的制作方法，其特征在于：步骤5）中使用加热至200～350℃的强酸或强碱溶液将暴露出的微小图形包腐蚀掉。