[发明专利]一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法

权利要求书

1.一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。

2.如权利要求1所述的一种利用交替供源制备高质量氮化物晶薄膜的方法，其特征是该方法，包括如下工艺步骤：

a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；

b)在单晶衬底上制备Al浸润层；

c)在浸润层上制备氮化铝AlN缓冲层；

d)在氮化铝AlN缓冲层上制备氮化物单晶薄膜；

e)降至室温，取出。

3.根据权利要求1所述的一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是所述单晶衬底为蓝宝石、碳化硅SiC、硅Si、氮化镓、氮化铝、绝缘体上硅SOI或铝酸锂。

4.根据权利要求1所述的一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是所述氮化铝AlN缓冲层制备过程中和制备结束后在规定时间内，始终通入In源。

5.根据权利要求1所述的一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是所述氮化铝AlN缓冲层采用Al源和N源交替通入的方法制备，即每个制备单元先通入Al源5~30秒后停止，再通入N源5~30秒后停止，直至AlN缓冲层厚度满足要求。

6.根据权利要求1所述的一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是所述氮化铝AlN缓冲层的制备温度T_L为500℃≤T_L≤1300℃，厚度t为10nm≤t≤1000nm。

7.根据权利要求1所述的一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是所述氮化物单晶薄膜包括氮化镓、氮化铝、氮化铟二元单晶薄膜，或者由其组成的多元单晶薄膜，以及多层结构。