[发明专利]场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成光伏器件的方法，包括：

在衬底上对电介质层进行构图，以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质；

在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层，使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长；

在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触；

在所述远程间隔之上形成第二金属接触；以及

使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分，从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，构图包括形成包括圆形、方形和线形中的至少一种的形状和形状组。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属接触和所述第二金属接触在同一工艺中形成。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述工艺包括在原沉积图形中提供所述第一金属接触和所述第二金属接触。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述构图的电介质与所述衬底之间的界面处或该界面附近聚集电荷。

6.如权利要求1所述的方法，其中，沉积掺杂的外延层包括通过采用温度低于400摄氏度的等离子体增强的化学气相沉积工艺或热丝化学气相沉积工艺来沉积所述掺杂的外延层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，沉积掺杂的外延层包括在150到250摄氏度之间的温度下沉积所述掺杂的外延层，其中对于硅生长，气体比为[H₂]/[SiH₄]>5，或者对于SiGe生长，气体流量比为[H₂]/([SiH₄]+[GeH₄])>5。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一和第二金属接触之前形成透明导电材料；以及根据所述第一和第二金属接触蚀刻所述透明导电材料。

9.如权利要求1所述的方法，其中，对电介质层进行构图包括用于形成所述交替的叉指发射极和背接触叠层的仅一个光刻处理步骤。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底的与所述交替的叉指发射极和背接触叠层相反的前表面上形成钝化层和抗反射涂层中的一者或多者。

11.一种形成光伏器件的方法，包括：

在衬底上对电介质层进行构图，以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质；

在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层，使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长；

在所述掺杂的外延层之上沉积掺杂的非晶体层；

在所述远程间隔之上形成第一金属接触；

根据所述第一金属接触蚀刻所述掺杂的非晶层；

在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第二金属接触；

使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分，从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，构图包括形成包括圆形、方形和线形中的至少一种的形状和形状组。

13.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一金属接触和所述第二金属接触在原沉积图形中形成。

14.如权利要求11所述的方法，还包括：在所述构图的电介质与所述衬底之间的界面处或该界面附近聚集电荷。

15.如权利要求11所述的方法，其中，沉积掺杂的外延层包括通过采用温度低于400摄氏度的等离子体增强的化学气相沉积工艺或热丝化学气相沉积工艺来沉积所述掺杂的外延层。

16.如权利要求11所述的方法，其中，沉积掺杂的外延层包括在150到250摄氏度之间的温度下沉积所述掺杂的外延层，其中对于硅生长，气体比为[H₂]/[SiH₄]>5，或者对于SiGe生长，气体流量比为[H₂]/([SiH₄]+[GeH₄])>5。