[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201310629805.8 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103855190B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 朴景薰;朴钟贤;许成权 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 于未茗,康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
描述的技术总地涉及有机发光二极管(OELD)显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括两个电极和介于两个电极之间的有机发射层,从作为一个电极的阴极注入的电子和从作为另一个电极的阳极注入的空穴在有机发射层中彼此结合,以形成激子,并且在激子释放能量时发出光。
有机发光二极管显示器的每个像素包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管。驱动电压ELVDD从驱动电压线被供给至驱动薄膜晶体管和电容器,并且驱动薄膜晶体管用于控制通过驱动电压线流到有机发光二极管的电流。公共电压线将公共电压ELVSS供给至阴极,并且在作为阳极的像素电极与公共电极之间形成电势差,从而引起像素电极与公共电极之间的电流。
通过形成在周边区域中的包括栅极线的栅极公共电压接触单元、包括数据线的数据公共电压接触单元以及公共电极之间的连续接触,公共电压ELVSS被传送到形成在障肋上的公共电极。
不过,由于障肋的厚度,显影剂没有被有效地蒸发,因而在障肋中形成的接触孔的边界处可能产生提升现象。
关于提升现象,提供在障肋上的公共电极穿过接触孔,而使与底金属膜的粘着力恶化并且产生热。
本背景部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解,因此它可能包含不形成对本国内本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于提供一种具有降低的热产生的有机发光二极管(OLED)显示器。
一示例性实施例提供一种有机发光二极管(OLED)显示器,其包括:像素单元,形成在基板上并包括用于显示图像的有机发光二极管;以及围绕所述像素单元的周边,其中所述周边包括:栅极公共电压线,形成在所述基板上,并且从外部电路接收公共电压;层间绝缘层,覆盖所述栅极公共电压线,并且包括用于暴露所述栅极公共电压线的一部分的公共电压接触孔;数据公共电压线,形成在所述层间绝缘层上,并且通过所述公共电压接触孔接触所述栅极公共电压线;障肋,用于覆盖所述数据公共电压线,并且包括用于暴露所述数据公共数据线的一部分的公共电压开口;公共电极,形成在所述障肋上,并且通过所述公共电压开口接触所述数据公共电压线;以及多个突起,被提供在所述公共电压接触孔种,并且形成在所述基板上。
所述有机发光二极管包括第一电极、被提供在所述第一电极上的有机发射层以及被提供在所述有机发射层上的第二电极,并且所述公共电极与所述第二电极一体形成。
所述第二电极形成在所述像素单元上。
所述像素单元包括薄膜晶体管,该薄膜晶体管用于将所述第一电极连接至该薄膜晶体管的漏电极。
所述突起由包括所述薄膜晶体管的半导体的材料在内的材料形成。
所述有机发光二极管显示器进一步包括形成在所述基板上的缓冲层,其中所述突起包括由与所述缓冲层相同的材料制成的第一突起,以及被提供在所述第一突起上且由与所述半导体相同的材料制成的第二突起。
所述有机发光二极管显示器进一步包括:形成在所述基板上的缓冲层,其中所述突起由与所述缓冲层相同的材料制成。
所述缓冲层包括氮化硅和氧化硅中至少之一。
所述基板包括被提供在相邻突起之间的凹部分。
所述像素单元包括:栅极线,形成在所述基板上并且传送扫描信号;数据线和驱动电压线,以绝缘方式与所述栅极线交叉,并且分别传送数据信号和驱动电压;开关薄膜晶体管,连接至所述栅极线和所述数据线;驱动薄膜晶体管,连接至所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线;第一电极,连接至所述驱动薄膜晶体管;有机发射层,形成在所述第一电极上;以及第二电极,形成在所述有机发光二极管上,其中所述栅极公共电压线与所述栅极线形成在相同的层上,并且所述数据公共电压线与所述数据线形成在相同的层上。
公共电极和公共电压线的接触面积通过根据示例性实施例的有机发光设备的突起得到增加,因而接触电阻被降低。因此,由电阻根据障肋的提升现象而增大引起的热产生能够得到降低。
附图说明
图1示出根据示例实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的俯视图。
图2示出根据示例实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的像素的等效电路。
图3示出根据示例实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的像素的剖面图。
图4示出图1的周边中的边部分(A)的放大俯视图。
图5示出关于图4的线V-V的剖面图。
图6示出图1的周边中的边部分(B)的放大俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的