[发明专利]基于半导体的霍尔传感器

权利要求书

1.一种霍尔传感器，包括布置在半导体衬底上的霍尔元件，所述霍尔元件包括：

第一导电类型的感测区，其被配置成检测磁场的变化，

第一电极和第三电极，所述第一电极和所述第三电极彼此相对，并且被配置成测量所述感测区上的电流，

第二电极和第四电极，所述第二电极和所述第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于所述第一电极和所述第三电极，并且被配置成测量电压的变化，以及

第二导电类型的掺杂区，其被布置在所述感测区上，并且覆盖所述感测区的表面并在所述感测区之外延伸，

其中，所述感测区具有至少一个拐角或圆角，以及

其中，围绕所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个形成有绝缘层，以将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个与所述掺杂区分开。

2.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区具有至少一个拐角，所述拐角的边长短于所述感测区的相邻边的长度。

3.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区具有圆角。

4.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述第二导电类型的掺杂区具有比所述感测区更高的掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区是磁感测区。

6.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极各自是掺杂浓度高于所述感测区的N型区。

7.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极各自被布置成具有较长长度的边与所述感测区的中心相对。

8.如权利要求7所述的霍尔传感器，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极被布置成使得所述具有较长长度的边相对于所述感测区的外周边的切线成45°。

9.如权利要求1所述的霍尔传感器，还包括布置在所述感测区之外所述掺杂区之下的P型阱。

10.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区具有正方形形状或八边形形状。

11.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区的掺杂浓度在4E16≤N≤1E18atoms/cm³的范围内。

12.如权利要求2所述的霍尔传感器，其中，所述拐角的边与所述感测区的相邻边成135°角。

13.一种霍尔传感器，包括：

多个布置在半导体衬底上的霍尔元件，

其中，所述多个霍尔元件包括一对霍尔元件，该对霍尔元件包括布置成彼此相邻的两个或更多个霍尔元件；

其中，每一个所述霍尔元件包括：

第一导电类型的感测区，其被配置成检测磁场的变化，

第一电极和第三电极，所述第一电极和所述第三电极彼此相对，并且被配置成测量所述感测区上的电流，

第二电极和第四电极，所述第二电极和所述第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于所述第一电极和所述第三电极，并且被配置成测量电压的变化，以及

第二导电类型的掺杂区，其被布置在所述感测区上，并且覆盖所述感测区的表面并在所述感测区之外延伸，

其中，所述感测区包括至少一个拐角或圆角，以及

其中，围绕所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个形成有绝缘层，以将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个与所述掺杂区分开。

14.如权利要求13所述的霍尔传感器，还包括所述感测区上的磁集极。