[发明专利]双大马士革结构的制造方法

权利要求书

1.一种双大马士革结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S01，提供一半导体结构，其自下而上依次具有阻挡层、低介电常数层、金属掩膜层和顶层；

步骤S02，在该半导体结构之上依次涂覆第一抗反射层和第一光刻胶，图案化该第一光刻胶，以形成沟槽图形；

步骤S03，依次刻蚀去除该沟槽图形内的第一抗反射层、顶层、金属掩膜层和部分低介电常数层，之后去除该第一光刻胶，形成沟槽；

步骤S04，在步骤S03得到的半导体结构之上涂覆第二抗反射层和第二光刻胶，图形化该第二光刻胶，以形成沟槽两侧的通孔图形；

步骤S05，依次刻蚀去除该通孔图形内的第二抗反射层、顶层、金属掩膜层和部分低介电常数层，之后去除该第二光刻胶，形成沟槽两侧的通孔；

步骤S06，以金属掩膜层为掩膜，刻蚀沟槽下的部分低介电常数层，形成圆弧型或斜边型斜面，并打开通孔，形成双大马士革结构；

步骤S07，以含有CF₄的气体并以高偏置功率对具有圆弧型或斜边型斜面的低介电常数层进行刻蚀，形成Z字型斜面。

2.根据权利要求1所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S07中所用的偏置电压的功率为300-500瓦。

3.根据权利要求2所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S07中所用的CF₄流量为200-400标准立方厘米/分钟；该偏置电压为2-13MHz；刻蚀反应腔体内的压力为40-100毫托；刻蚀时间为20-40秒。

4.根据权利要求2所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S03、步骤S05和步骤S06中刻蚀介质是含有C_XH_Y的气体。

5.根据权利要求4所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S06中刻蚀介质含有C₄F₈。

6.根据权利要求5所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S06的刻蚀介质还含有O₂、N₂、Ar。

7.根据权利要求4所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S03中刻蚀介质含有C₂H₄，步骤S05中刻蚀介质含有C₄F₈和CH₂F₂。

8.根据权利要求7所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：步骤S03的刻蚀介质还含有Cl₂、O₂、Ar，步骤S05的刻蚀介质还含有N₂、Ar。

9.根据权利要求1至8任一项所述的双大马士革结构的制造方法，其特征在于：该顶层是二氧化硅、该金属掩膜层是TiN，该低介电常数层是BD、该阻挡层是NDC，它们通过化学气相沉积或物理气相沉积依次沉积。