[发明专利]光刻胶的去除方法无效
| 申请号： | 201310630246.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103646873A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 高慧慧;秦伟;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，提供一半导体结构，其上具有经离子注入后的光刻胶层；
步骤S02，在100℃以下的条件下，用O2和N2/H2的混合气体通过高射频灰化光刻胶层的表面；
步骤S03，在200-500℃的条件下，用O2通过高射频灰化剩下的光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：该光刻胶层具有经离子注入后形成的外层硬壳，步骤S02中灰化的是该硬壳。
3.根据权利要求2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S02中反应腔内的温度为80-100℃。
4.根据权利要求3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S02中O2的流量为6000-6500sccm，N2/H2的体积比为20：1-25：1、流量为3000-3500sccm，射频电压为200-250W，反应腔内的气压为1400-1600mT。
5.根据权利要求2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S03中反应腔内的温度为250-275℃。
6.根据权利要求5所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S03中O2的流量为8000-10000sccm，射频电压为200-250W，反应腔内的气压为600-800mT。
7.根据权利要求1至6任一项所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S02和步骤S03中使用ICP等离子发生器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
