[发明专利]晶圆缺陷检测方法无效
申请号: | 201310630250.9 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103646889A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陶金龙 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:
a)、提供两束检测光束,分别为第一光束和第二光束;
b)、以所述第一光束投射于晶圆第一位置,同时以所述第二光束投射于晶圆第二位置;
c)、依据所述第一位置和第二位置的图像灰度特征,对所述第一位置和/或第二位置分别进行缺陷检测;
d)、移动所述晶圆,以使所述第一光束和第二光束分别投射至晶圆第三位置和第四位置,以所述第三、第四位置分别替换所述第一、第二位置;
e)、重复执行所述步骤c)和步骤d),直至全部所述晶圆区域被检测完成;
其中,所述第一、第二、第三和第四位置分别为所述晶圆表面互不相同的待检测位置。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,在所述步骤a)之后、步骤b)之前还包括步骤:
设定所述第一、第二光束的检测起始位置以及检测终止位置;以及,
设定所述晶圆的移动路径;
所述步骤b)中,所述第一、第二位置分别为所述第一、第二光束的检测起始位置。
3.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述第一、第二光束的检测起始位置以及检测终止位置分别位于所述晶圆边缘部不同的芯片上。
4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,在所述步骤d)中,若所述晶圆移动后,所述第一和第二光束分别投射于所述晶圆边缘部芯片之外,则该暂停重复执行所述步骤c),直至所述晶圆再次移动至使该第一或第二光束重新投射于所述晶圆上待检测位置。
5.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述晶圆置于一载物台上,所述载物台包括一水平轨道和一垂直轨道,所述步骤d)中,所述载物台沿所述水平轨道或垂直轨道运动以移动所述晶圆。
6.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述第一、第二光束之间距离为恒定值,所述第一、第二位置之间距离以及所述第三、第四位置之间距离等于或略大于所述晶圆半径。
7.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述第一、第三位置之间距离由所述第一光束的检测分辨率确定,所述第二、第四位置之间距离由所述第二光束的检测分辨率确定。
8.如权利要求7所述的检测方法,其特征在于,所述第一光束的检测分辨率与所述第二光束的检测分辨率相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造