[发明专利]干法工艺稳定性和匹配性的判断方法

权利要求书

1.一种干法工艺稳定性的判断方法，其特征在于，包括：

获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；

对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率；

根据自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和清洗前后热氧化膜的损失率，判断干法工艺稳定性。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和热氧化膜的厚度差包括：

使用第一清洗液处理硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的自然氧化膜厚度；

在选定的干法工艺条件下，对所述硅光片进行光刻胶去除处理，并量取在所述硅光片表面形成的初始热氧化膜的厚度；

根据自然氧化膜的厚度和干法工艺处理后的所述初始热氧化膜的厚度，获取干法工艺前后硅光片表面自然氧化膜和热氧化膜的厚度差。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率包括：

使用第二清洗液处理干法工艺后的所述硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的最终热氧化膜的厚度；

根据利用所述第二清洗液处理后最终的热氧化膜的厚度，以及干法工艺处理后的所述硅光片表面形成初始热氧化膜的厚度，获取清洗前后热氧化膜的损失率。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一清洗液包括：稀释的氢氟酸、硫酸双氧水混合物、及1号标准清洗液。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二清洗液包括：硫酸双氧水混合物及65℃ 1号标准清洗液处。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法工艺条件为：反应压力为1～3T，反应温度为200～300℃，反应功率为1000～2500W，O2气体流量为5000～9000sccm，H2/N2气体流量为1000～4000sccm，反应时间为60～100s。

7.一种干法工艺匹配性的判断方法，其特征在于，包括：

获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；

对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率；

根据自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和清洗前后热氧化膜的损失率分别与预设的基准参数进行比对，判断干法工艺的匹配性。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和热氧化膜的厚度差包括：

使用第一清洗液处理硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的自然氧化膜厚度；

在选定的干法工艺条件下，对所述硅光片进行光刻胶去除处理，并量取在所述硅光片表面形成的初始热氧化膜的厚度；

根据自然氧化膜的厚度和干法工艺处理后的所述初始热氧化膜的厚度，获取干法工艺前后硅光片表面自然氧化膜和热氧化膜的厚度差。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率包括：

使用第二清洗液处理干法工艺后的所述硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的最终热氧化膜的厚度；

利用所述第二清洗液处理后最终的热氧化膜的厚度，以及干法工艺处理后的所述硅光片表面形成初始热氧化膜的厚度，获取清洗前后热氧化膜的损失率。