[发明专利]一种监控多晶硅炉管晶圆厚度的方法无效
| 申请号： | 201310630346.5 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681416A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 肖天金;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监控 多晶 炉管 厚度 方法 | ||
1.一种监控片厚度的方法，其特征在于，包括一反应炉，所述反应炉内有一晶舟，所述晶舟上放置有若干片上下表面相邻的晶圆，形成多个产品晶圆区和多个档片晶圆区，每个所述产品晶圆区皆位于相邻两个档片晶圆区之间；
其中，每个产品晶圆区的的顶部、中部和底部各放置有监控片，选取任意一产品晶圆区中部、底部位置处的监控片及顶部下方的监控片以检测该产品晶圆区的各位置处的产品晶圆生长厚度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，部分或全部所述产品晶圆区均设置有4片检测晶圆；
其中，部分或全部所述产品晶圆区的顶部设置有两片上下相邻的监控片，另外两片监控片分别位于该产品晶圆区的中部和底部。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，位于所述产品晶圆区的最顶部及与最底部的检测晶圆分别与档片晶圆区的档片晶圆相邻。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，各所述检测晶圆的摆放位置根据工艺需求而设定。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述产品晶圆区均包括若干片上下表面相邻分布的产品晶圆；每个所述档片晶圆区均包括若干片上下表面相邻分布的档片晶圆。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应炉为立式反应炉。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶舟呈塔状垂直立于所述反应炉内。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述晶舟在垂直方向上设置有多个插槽，所述插槽用于放置各所述产品晶圆、档片晶圆和检测晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
