[发明专利]一种端面金属化陶瓷电真空管及其制备方法

权利要求书

1.一种端面金属化陶瓷电真空管，其特征在于，由陶瓷电真空管、陶瓷电真空管端面沉积的纳米半导体薄膜、纳米半导体薄膜表面镀覆的金属构成。

2.如权利要求1所述一种端面金属化陶瓷电真空管，其特征在于，所述陶瓷电真空管是氧化铝管。

3.如权利要求1所述一种端面金属化陶瓷电真空管，其特征在于，所述纳米半导体薄膜是纳米二氧化钛薄膜、纳米氧化锌薄膜、纳米氧化硅薄膜或经过掺杂改性的纳米半导体薄膜。

4.如权利要求1所述一种端面金属化陶瓷电真空管，其特征在于，所述纳米半导体薄膜表面镀覆的金属是铜、镍、金、银。

5.根据权利要求1至4的任意一种端面金属化陶瓷电真空管的制备方法，其特征在于，对表面沉积纳米半导体薄膜的陶瓷电真空管的端面之外的其他表面进行精确密封处理；将密封处理后的陶瓷电真空管直接浸入化学镀液中，陶瓷电真空管端面对着光源；在波长为200～400 nm的光下照射1～10 min进行氧化还原反应，使得陶瓷电真空管端面产生初生金属层，反应期间维持镀液pH值为7～13；将完成氧化还原反应的陶瓷电真空管进行化学镀，反应温度30~50 ℃、反应时间60~240 min，实现金属离子的继续还原沉积，在陶瓷电真空管端面获得一定厚度的金属镀层；将端面镀覆金属的陶瓷电真空管取出，洗涤，于温度50~150 ℃条件下热处理30~60 min，去掉表面密封，即可制得端面金属化陶瓷电真空管。

6.如权利要求5所述一种端面金属化陶瓷电真空管制备方法，其特征在于，所述精确密封处理采用套塞包裹或石蜡密封进行，确保在光照下只有陶瓷电真空管端面发生金属化，而其他表面无金属出现。

7.如权利要求5所述一种端面金属化陶瓷电真空管制备方法，其特征在于，所述化学镀液的配方组成（质量分数）为金属盐40~20%、还原剂35~20%、络合剂25~30%、稳定剂0~30%；其中，金属盐为铜盐、镍盐、金盐或银盐，还原剂为HOCCOOH、HCHO、NaH₂PO₂·H₂O或HO(CH₂CH₂O)_nH(n=4~450)，络合剂为KNaC₄H₄O₆·4H₂O、EDTA-2Na或C₆H₅Na₃O₇·2H₂O，稳定剂为C₁₀H₈N₂或K₄Fe(CN)₆·H₂O。