[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一电极；

所述第一电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的含有镓的氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上并与其接触的第一氧化物膜；

所述第一氧化物膜上的第二电极；

所述第一氧化物膜上的第三电极；以及

在所述第一氧化物膜、所述第二电极及所述第三电极上并与所述第一氧化物膜、所述第二电极及所述第三电极接触的第二氧化物膜，

其中，所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜中的每一个包括铟、镓以及锌，

其中，所述第二氧化物膜的电子亲和能等于或低于所述第一氧化物膜的电子亲和能，

并且其中，所述第二氧化物膜的电子亲和能低于所述氧化物半导体膜的电子亲和能。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜、所述第一氧化物膜及所述第二氧化物膜都含有相同金属元素。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在所述第二氧化物膜上并与其接触的第二绝缘膜，其中所述第二绝缘膜包含过剩氧。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二绝缘膜是氧化物绝缘膜和氮化物绝缘膜的叠层。

5.一种半导体装置，包括：

第一电极；

所述第一电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第一氧化物膜；

在所述第一氧化物膜上并与其接触的含有镓的氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物膜；

所述第二氧化物膜上的第二电极；

所述第二氧化物膜上的第三电极；以及

在所述第二氧化物膜、所述第二电极及所述第三电极上并与所述第二氧化物膜、所述第二电极及所述第三电极接触的第三氧化物膜，

其中，所述第一氧化物膜、所述第二氧化物膜和所述第三氧化物膜中的每一个包括铟、镓以及锌，

并且其中所述氧化物半导体膜还含有铟和锌。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜、所述第一氧化物膜、所述第二氧化物膜及所述第三氧化物膜都含有相同金属元素。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述第三氧化物膜的电子亲和能与所述第一氧化物膜的电子亲和能及所述第二氧化物膜的电子亲和能相等，

并且，所述第三氧化物膜的所述电子亲和能低于所述氧化物半导体膜的电子亲和能。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述第三氧化物膜的电子亲和能低于所述第一氧化物膜的电子亲和能及所述第二氧化物膜的电子亲和能，

并且，所述第一氧化物膜的所述电子亲和能及所述第二氧化物膜的所述电子亲和能低于所述氧化物半导体膜的电子亲和能。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述第三氧化物膜的电子亲和能与所述第二氧化物膜的电子亲和能相等，

所述第三氧化物膜的所述电子亲和能高于所述第一氧化物膜的电子亲和能，

并且，所述第三氧化物膜的所述电子亲和能低于所述氧化物半导体膜的电子亲和能。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述第三氧化物膜的电子亲和能与所述第一氧化物膜的电子亲和能相等，

所述第三氧化物膜的所述电子亲和能低于所述第二氧化物膜的电子亲和能，

并且，所述第三氧化物膜的所述电子亲和能低于所述氧化物半导体膜的电子亲和能。

11.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括在所述第三氧化物膜上并与其接触的第二绝缘膜，其中所述第二绝缘膜包含过剩氧。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二绝缘膜是氧化物绝缘膜和氮化物绝缘膜的叠层。