[发明专利]一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法

权利要求书

1.一种可改善P型硅太阳电池的电性能双面扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）硅片非受光面磷吸杂：选择两片硅片，将两片硅片的受光面紧贴在一起，放入石英舟的卡槽中，把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，通过重掺杂磷使硅片的受光面得到充分的磷吸杂和硅片的非受光面的表面钝化；

（b）磷硅玻璃去除：把扩散后的硅片从扩散炉管中推出并将硅片卸入花篮中，采用氢氟酸进行清洗；

（c）硅片受光面磷扩散形成发射极：将清洗后的两片硅片的非受光面紧贴一起放入石英舟的卡槽中，再把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，采用轻掺杂磷的扩散工艺制作发射极。

2.根据权利要求1所述的一种改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法，其特征在于：步骤（a）中所述硅片非受光面磷吸杂工艺时间为90-150min；先将扩散炉的温度升高至880-920℃，持续时间为5-30min，再降低扩散炉温度至700-750℃，时间为60-120min；在通磷源过程中，大氮流量为10000-50000立方厘米/分钟，小氮流量2000-3000立方厘米/分钟，氧气流量为1000-3000立方厘米/分钟；在不通磷源时，大氮需要控制在5000-50000立方厘米/分钟，氧气需要控制在0-3000立方厘米/分钟。

3.根据要求1所述的一种改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法，其特征在于：步骤（b）所述的氢氟酸，其浓度为2-5%，清洗时间为2-3分钟。

4.根据权利要求1所述的一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法，其特征在于：步骤（c）所述硅片受光面采用磷扩散工艺，采用先低温再高温的扩散模式，先将扩散炉的温度降低至780-810摄氏度，时间 5-50分钟，再将扩散炉的温度升高至 810-890摄氏度，时间为10-60分钟；在通磷源的过程中，大氮需要控制在10000-50000立方厘米/分钟，小氮需要控制在300-1000立方厘米/分钟，氧气需要控制在300-3000立方厘米/分钟；在不通磷源时，大氮需要控制在5000-50000立方厘米/分钟，氧气需要控制在0-3000立方厘米/分钟

根据权利要求4所述的一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法，其特征在于：步骤（c）所述硅片受光面采用磷扩散工艺，采用恒温扩散模式，扩散温度为810-890度，时间控制在60-150min。