[发明专利]晶圆的清洗方法有效
| 申请号： | 201310631393.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103646869A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈晋;宋振伟;徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，在晶圆的正面涂布一层光刻胶；
步骤S02，向晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；
步骤S03，用浓氢氟酸溶剂刻蚀晶圆背面的层次；
步骤S04，去除晶圆正面的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：步骤S01中涂布的光刻胶的厚度为200nm-2000nm。
3.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：步骤S02中注入离子掺杂的浓度为1014-1016个/cm2，步骤S02所使用的设备是高电流离子注入设备。
4.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：步骤S03中浓氢氟酸的浓度为25-49%。
5.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：步骤S03中刻蚀的晶圆背面层次包括最外层的氮化硅层以及次外层的氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
