[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在绝缘膜中的沟槽中的铜互连体；

沿所述绝缘膜与所述铜互连体之间的边界设置在所述绝缘膜上的金属膜；

设置在所述沟槽的内壁与所述铜互连体之间并在所述金属膜上方延伸的阻挡金属；

覆盖位于所述金属膜上方的所述阻挡金属和所述铜互连体的第一金属盖件；以及

连续地覆盖所述第一金属盖件、所述阻挡金属和所述金属膜的第二金属盖件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属膜为用于在所述绝缘膜中形成所述沟槽的金属掩模的残留物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属膜、所述阻挡金属、所述第一金属盖件和所述第二金属盖件按此顺序沿所述铜互连体与所述绝缘膜之间的所述边界层叠在所述绝缘膜上，并且所述第二金属盖件连续地覆盖所述第一金属盖件的端面、所述阻挡金属的端面和所述金属膜的端面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属膜由与所述阻挡金属的材料不同的材料形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属膜由使得能够沉积所述第二金属盖件的材料形成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属膜的材料选自Co、Ni、Cr、Fe、Pt或Au。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二金属盖件的材料选自Co、Ni、W-P、Ni-P、Ni-W-P、Co-W-P或Au。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述铜互连体为形成在衬底上的再布线互连体，所述衬底上安装有半导体芯片。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述铜互连体为形成在半导体芯片中的全局互连体。

10.一种半导体器件的制造方法，包括：

在绝缘膜上方形成金属掩模；

利用所述金属掩模在所述绝缘膜中形成沟槽；

在所述沟槽的内壁上方和所述金属掩模上方形成阻挡金属；

经由所述阻挡金属在所述沟槽中形成铜互连体；

通过化学镀在所述铜互连体上方形成第一金属盖件，以使得所述第一金属盖件能够铺展到所述阻挡金属的一部分上；

使用所述第一金属盖件作为掩模将所述阻挡金属和所述金属掩模的剩余部分移除，而保留位于所述第一金属盖件下方所述阻挡金属的所述一部分和所述金属掩模的部分；以及

通过化学镀在所述第一金属盖件上方形成第二金属盖件，以连续地覆盖所述第一金属盖件、所述阻挡金属的所述一部分和所述金属掩模的所述部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中使用所述第一金属盖件作为掩模来移除所述阻挡金属的所述剩余部分，并且然后使用所述第一金属盖件和所述阻挡金属的所述一部分的堆叠体作为掩模来移除在所述绝缘膜上的所述金属掩模。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述阻挡金属的材料与所述金属掩模的材料不同。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属掩模的材料使得所述第二金属盖件能够沉积在所述金属掩模上。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属掩模的材料选自Co、Ni、Cr、Fe、Pt或Au。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二金属盖件的材料选自Co、Ni、W-P、Ni-P、Ni-W-P、Co-W-P或Au。