[发明专利]发光二极管元件在审
申请号: | 201310631968.X | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN104681575A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 叶慧君 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 元件 | ||
1.一种发光二极管元件,包含:
基板,具有第一表面;
多个发光二极管单元,形成在该第一表面上,其中该些多个发光二极管单元形成一串联阵列,且具有多个相邻的发光单元行及多个相邻的发光单元列,其中该些发光单元行及该些发光单元列各具有至少三个该些发光二极管单元,该些发光单元行及该些发光单元列的该些发光二极管单元之间串接方式包含垂直串接及水平串接;
多个导电配线结构,连接该些多个发光二极管单元;以及
至少两相邻的该些发光单元行中的至少三个该些发光二极管单元的串接方式相同,且至少两相邻的该些发光单元行中的一该发光单元行中的该些发光二极管单元与相邻的该发光单元行中的该些发光二极管单元的串接方式至少包含一次垂直与两次水平串接。
2.一种发光二极管元件,包含:
基板,具有第一表面;
多个发光二极管单元,形成在该第一表面上,其中该些多个发光二极管单元形成一串联阵列,且具有n个相邻的发光单元行,其中n≧5,且同一发光单元行的该些发光二极管单元之间做一垂直串接或同一发光单元列的该些发光二极管单元之间做一水平串接,且至少两相邻的该些发光单元行中的至少三个该些发光二极管单元的串接方向相同;
多个导电配线结构,连接该些多个发光二极管单元;
第一接触发光二极管单元,形成在该第一表面及该第一发光单元行上,及一第一电极衬垫形成在该第一接触发光二极管单元之上;
第二接触发光二极管单元,形成在该第一表面上及该第n发光单元行上,及一第二电极衬垫形成在该第二接触发光二极管单元之上;以及
其中该第一发光单元行的至少三个该些发光二极管单元具有第一面积,及该第n发光单元行的至少三个该些发光二极管单元具有第二面积,且该第一面积与该第二面积不相等。
3.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该第2~n-1发光单元行的各个该些发光二极管单元具有一第三面积,且该第三面积与该第一面积,及/或该第二面积不相等,及/或该第一面积与该第二面积的差异小于20%。
4.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中至少两相邻的该些发光单元行中的一该发光单元行中的该些发光二极管单元与相邻的该发光单元行中的该些发光二极管单元的串接方式至少包含一次垂直与两次水平串接。
5.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该第一发光单元行可具有α个发光二极管单元,及该第n发光单元行可具有β个发光二极管单元,且α与β不相等。
6.一种发光二极管元件,包含:
基板,具有第一表面;
多个发光二极管单元,分别具有至少四个边缘,形成在该第一表面上,其中该些多个发光二极管单元形成一串联阵列,且具有至少三个相邻的发光单元行;以及
多个导电配线结构,连接该些多个发光二极管单元,其中至少一该发光二极管单元的该两导电配线结构形成于该发光二极管单元的同一侧边缘之上,且该发光二极管单元结构跨越至少两相邻的该些发光单元行。
7.如权利要求1或6所述的发光二极管元件,还包含第一接触发光二极管单元,形成在该第一表面上,及第一电极衬垫形成在该第一接触发光二极管单元之上;以及
第二接触发光二极管单元,形成在该第一表面上,及一第二电极衬垫形成在该第二接触发光二极管单元之上,其中该第一接触发光二极管单元及该第二接触发光二极管单元分别形成于该串联阵列的起始端与末端,及/或其中该第一接触发光二极管单元或该第二接触发光二极管单元包含:第一半导体层,第二半导体层,形成在该第一半导体层上,以及活性层,形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间。
8.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该第一接触发光二极管单元与该第二接触发光二极管单元不形成在该发光二极管元件的几何对角线之上。
9.如权利要求1、2、或6所述的发光二极管元件,其中任意两个该些多个导电配线结构彼此完全分离,且其中任一该些导电配线结构其第一端形成在该第二半导体层上,并通过该第二半导体层彼此电性连结;其第二端分别形成在另一该发光二极管单元上,直接接触另一该发光二极管单元所包含的该些半导体层其中之一。
10.如权利要求1或2所述的发光二极管元件,其中该第一接触发光二极管单元与该第二接触发光二极管单元形成在该发光二极管元件的一第一边及相对该第一边的一第二边上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的