[发明专利]低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310632082.7 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103626173A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 侯峰;徐姗姗 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C01B35/10;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 石墨 氧化 纳米 晶体 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料的制备方法，具有如下步骤：
（1）将石墨片与硼酸按照质量比为2:1～6:1配料，加入N-甲基吡咯烷酮有机溶剂，使加入有机溶剂后固体含量为0.1mg/mL～0.8mg/mL；于常温条件下进行超声剥离，超声功率为100W～125W；
（2）将步骤（1）得到的液体进行离心45min，离心速率为1000r/min，取上层清液；
（3）将步骤（2）得到的上层清液再一次进行超声剥离，超声功率为100W～125W，得到混浊液体；
（4）将步骤（3）得到的混浊液体进行45min离心，离心速率为1500r/min，得到含有氧化硼纳米晶体的上层清液。
2.根据权利要求1的低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）的石墨片也可以采用石墨烯片、或者三者任意比例的混合物，并且都能在室温条件下通过超声剥离法实现低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料的制备。
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