[发明专利]抛光半导体晶片的方法

权利要求书

1.抛光至少一个具有正面和背面的由半导体材料构成的晶片(5)的方法，其包含至少一个第一抛光步骤，借助于该第一抛光步骤，在各自覆盖有硬度为至少80°肖氏A且压缩率小于2.5％的抛光垫(1)的上抛光板与下抛光板(8)之间，在加工温度下在所述正面和所述背面的两面上同时抛光所述由半导体材料构成的晶片(5)，并且所述抛光垫(1)的与待抛光的所述晶片接触的上表面与下表面(2)之间的距离形成抛光间隙，并且此抛光间隙从所述抛光垫(1)的内边缘(B)延伸直到所述抛光垫(1)的外边缘(A)，其中所述抛光垫以如下方式进行修整：由于抛光垫(1)的工作层的厚度梯度，所述内边缘(B)处所述抛光间隙的高度成线性地不同于所述外边缘(A)处所述抛光间隙的高度，其中所述抛光间隙的高度在所述外边缘(A)处低于所述内边缘(B)处。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述内边缘与所述外边缘之间的抛光间隙的高度的差异相对于一米环宽度为70μm到360μm，其中所述环宽度被定义为所述抛光垫(1)的内边缘(B)与所述抛光垫(1)的外边缘(A)之间的径向距离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫的硬度在80°肖氏A和100°肖氏A的范围内。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中所述抛光垫的厚度在0.5mm到1.0mm的范围内。

5.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中所述抛光垫以粘着方式粘合到所述抛光板上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述抛光板加热到40℃到50℃，以便以粘着方式粘合所述抛光垫。

7.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中在第一修整期间，从所述抛光垫(1)的工作层(4)去除20-100μm。

8.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中所述抛光间隙的所述高度从所述内边缘(B)到所述外边缘(A)成线性地减小。

9.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中所述双面抛光是在10℃到50℃的加工温度下实现。