[发明专利]半导体材料、包括其的晶体管和包括晶体管的电子装置

权利要求书

1.一种半导体材料，所述半导体材料包括锌、氟、氧和氮，其中，半导体材料中的氟与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于3at％。

2.如权利要求1所述的半导体材料，其中，半导体材料包括氟氧氮化锌。

3.如权利要求1所述的半导体材料，其中，半导体材料包括含有氟的氮氧化锌。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体材料，其中，半导体材料中的氮与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于50at％。

5.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体材料，其中，半导体材料中的氧与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于40at％。

6.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体材料，其中，半导体材料包括非晶相。

7.一种半导体材料，所述半导体材料包括锌、氮和氟，其中，半导体材料中的氟与氮和氟之和的含量比等于或大于3at％。

8.如权利要求7所述的半导体材料，其中，半导体材料包括氟氮化锌。

9.如权利要求7或8所述的半导体材料，其中，半导体材料中的氮与氮和氟之和的含量比等于或大于55at％。

10.如权利要求7或8所述的半导体材料，其中，半导体材料包括非晶相。

11.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

沟道元件，由包括锌、氟、氧和氮的半导体材料形成；

栅电极，设置成对应于沟道元件；

栅极绝缘层，设置在沟道元件和栅电极之间；以及

源极和漏极，分别接触沟道元件的第一区和第二区，

其中，沟道元件的半导体材料中的氟与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于3at％。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，沟道元件的半导体材料包括氟氧氮化锌。

13.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，沟道元件的半导体材料包括含有氟的氮氧化锌。

14.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，半导体材料中的氮与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于50at％。

15.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，半导体材料中的氧与氮、氧和氟之和的含量比等于或小于40at％。

16.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，栅电极设置在沟道元件下方，并且

薄膜晶体管还包括设置在沟道元件上的蚀刻停止层。

17.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，沟道元件对应于有源层的第一区，

源极和漏极设置在沟道元件两侧的有源层中，

栅极绝缘层和栅电极顺序地堆叠在有源层的第一区上。

18.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，栅极绝缘层包括第一层和第二层，

第一层设置在栅电极和第二层之间，并且第二层设置在第一层和沟道元件之间，

第一层包括氮化硅，

第二层包括氧化硅。

19.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括覆盖薄膜晶体管的钝化层，

其中，钝化层包括顺序堆叠的氧化硅层和氮化硅层。

20.如权利要求11至13中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，栅电极、源极和漏极中的至少一个具有三层电极结构。

21.如权利要求20所述的薄膜晶体管，其中，三层电极结构包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层，

其中，第一层和/或第三层包括钛、钼或它们的组合，

第二层包括铝、铝-钕、铜或它们的组合。

22.一种电子装置，包括如权利要求11所述的薄膜晶体管。

23.如权利要求22所述的电子装置，其中，电子装置是显示设备。

24.如权利要求23所述的电子装置，其中，显示设备是有机发光显示设备或液晶显示设备。