[发明专利]一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310634216.9 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103675034A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;唐江;傅邱云;李敏;周东祥 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 方可 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电阻 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜；
（2）用短链配体溶液处理量子点薄膜；
（3）去除残余的短链配体及其副产物；
（4）多次重复执行步骤（1）至步骤（3），得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜，完成气体传感器的制备。
2.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将半导体胶态量子点溶液涂覆在绝缘衬底上，使其均匀成膜；
（2）用短链配体溶液处理量子点薄膜；
（3）去除残余的短链配体及其副产物；
（4）多次重复执行步骤（1）至步骤（3），得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜；
（5）在步骤（4）得到的半导体胶态量子点薄膜上制备电极，完成气体传感器的制备。
3.如权利要求1或2所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体胶态量子点溶液为PbS胶态量子点溶液或SnO2胶态量子点溶液。
4.如权利要求3所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述绝缘衬底为纸、塑料、陶瓷、硅片或玻璃。
5.如权利要求3或4所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述短链配体溶液为NH4Cl、NaNO2或Pb(NO3)2溶液。
6.一种用权利要求1或2所述方法制备的气体传感器，其特征在于，包括绝缘衬底、电极和气敏层，所述气敏层为半导体胶态量子点薄膜。
7.如权利要求6所述的气体传感器，其特征在于，所述绝缘衬底为纸、塑料、陶瓷、硅片或玻璃。
8.如权利要求6或7所述的气体传感器，其特征在于，所述半导体胶态量子点薄膜为PbS胶态量子点薄膜或SnO2胶态量子点薄膜。
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