[发明专利]巨磁阻电流传感器

权利要求书

1.巨磁阻电流传感器，其特征在于：由电磁转换模块、信号放大模块和反馈补偿模块三部分组成，其中，电磁转换模块包括聚磁环磁芯、原边绕组和巨磁电阻芯片，信号放大模块包括运算放大器和推挽功率放大器，反馈补偿模块为反馈绕组；原边绕组穿过聚磁环磁芯，反馈绕组均匀绕在聚磁环磁芯上，反馈绕组一端与推挽功率放大器相连接，反馈绕组另一端连接一个采样电阻，巨磁电阻芯片与聚磁环磁芯和反馈绕组构成闭环系统式的测量探头，聚磁环磁芯将原边电流所产生的磁场进行聚集之后，作用于巨磁阻芯片，巨磁电阻芯片在感受到磁场的作用之后，将会有电压信号输出，该输出的电压信号送入运算放大器，运算放大器与推挽功率放大器连接，上述输出的电压信号经过运算放大器和推挽功率放大器进行放大之后，加到采样电阻上，形成反馈电流，该反馈电流经过反馈绕组产生反馈磁场，由此电磁转换模块、信号放大模块和反馈补偿模块三部分构成测量回路闭环系统。

2.根据权利要求1所说巨磁阻电流传感器，其特征在于：所述聚磁环磁芯的构成材料是坡莫合金材料，其电阻率为0.56μΩ·m，居里点为400℃，饱和磁感应强度为Bs=0.7T，饱和磁感应强度下的矫顽力Hc不大于1.6A/m，直流磁性能满足在0.08A/m磁场强度中的磁导率不小于37.5mH/m；聚磁环磁芯是圆环形磁环，该磁环的内径为20mm、外径为25mm、高为7mm、气隙长度为5mm、横截面为长为7mm和宽为5mm的矩形。

3.根据权利要求1所说巨磁阻电流传感器，其特征在于：所述巨磁阻芯片即GMR芯片，采用东方微磁科技有限公司的VA110F3型芯片。

4.根据权利要求1所说巨磁阻电流传感器，其特征在于：所述原边绕组的匝数为1匝。

5.根据权利要求1所说巨磁阻电流传感器，其特征在于：所述反馈绕组的匝数是120匝。

6.根据权利要求1所说巨磁阻电流传感器，其特征在于：所述采样电阻为20欧姆。

7.根据权利要求1所说巨磁阻电流传感器，其特征在于：所述运算放大器的型号是INA118，推挽功率放大器的型号是L165。