[发明专利]二极管湿法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310635376.5 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103617952A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐冬;刘旸;马洪江;孔明;林洪春;刘昕阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 湿法 刻蚀 方法 | ||
1.二极管湿法刻蚀方法，其中，包括以下步骤：
a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；
b、腐蚀多个所述被腐蚀单元间的粘附层；
c、腐蚀所述被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使所述被腐蚀单元的粘附层的边缘从导电层及阻挡层下露出。
2.根据权利要求1所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，所述步骤a包括，
在待腐蚀的带多层金属的硅片上施加掩膜；
将已掩膜硅片置入导电层腐蚀液中，对掩膜窗口内的导电层进行一次腐蚀；
将已腐蚀掉导电层的硅片置入阻挡层腐蚀液中，对掩膜窗口内的阻挡层进行一次腐蚀。
3.根据权利要求2所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，所述步骤c包括：
将步骤b得到的硅片置入导电层腐蚀液中，对掩膜窗口内的导电层进行二次腐蚀；
将经导电层二次腐蚀的硅片置入阻挡层腐蚀液中，对掩膜窗口内的阻挡层进行二次腐蚀。
4.根据权利要求1所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，步骤a包括
在待腐蚀的带多层金属的硅片上施加掩膜；
将已掩膜硅片置入能同时腐蚀导电层及阻挡层的导电层-阻挡层腐蚀液中，对掩膜窗口内的导电层及阻挡层进行一次腐蚀。
5.根据权利要求4所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，步骤c包括：将步骤b中得到的硅片再次置入导电层-阻挡层腐蚀液中，对导电层及阻挡层进行二次腐蚀。
6.根据权利要求5所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，步骤c中腐蚀时间比步骤a中腐蚀时间短。
7.根据权利要求1～6任一项所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，所述步骤b中，采用粘附层腐蚀液腐蚀多个所述被腐蚀单元间的粘附层。
8.根据权利要求7所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，每次腐蚀后对经过腐蚀处理的硅片冲水。
9.根据权利要求1～8任一项所述的二极管湿法刻蚀方法，其中，在所述步骤c后还包括步骤d：将经步骤c处理的硅片进行检查，能够看到粘附层的边缘从导电层及阻挡层下露出判断为未出现钻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
