[发明专利]采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法无效
| 申请号： | 201310635523.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103646858A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘波;冯志红;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/40;C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 sigec 缓冲 si 衬底 生长 gan 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在Si衬底（1）上生长SiGeC缓冲层；
2）在SiGeC缓冲层上生长GaN层（3）。
2.根据权利要求1所述的采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于：在生长GaN层（3）之前首先在SiGeC缓冲层上生长三族氮化物层（4），然后在三族氮化物层（4）之上生长GaN层（3）。
3.根据权利要求1或2所述的采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于所述方法还包括步骤3）：在生长的GaN层（3）上进行微电或光电器件结构的多层生长。
4.根据权利要求1或2所述的采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于所述步骤1）为：在Si衬底上生长Si1-x-yGexCy缓冲层（2），其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。
5.根据权利要求2所述的采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于所述三族氮化物层（4）为：AlN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlInGaN中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求1或2所述的采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于，在生长过程中使用金属有机化学气相沉积和分子束外延生长系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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