[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括形成在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管，所述晶体管包括：

源极区；

漏极区；

沟道区；

漂移区段；以及

栅极电极，邻近所述沟道区，所述栅极电极配置为控制形成在所述沟道区中的沟道的传导性，

所述沟道区和所述漂移区段沿第一方向设置在源极区和漏极区之间，第一方向平行于第一主表面，所述沟道区具有沿第一方向延伸的突脊的形状，以及

所述漂移区段包括超级结层堆叠，

所述晶体管还包括接触沟槽以提供到源极区的接触，其中所述接触沟槽沿着其整个深度接触所述源极区。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述栅极电极设置在所述突脊的至少两侧处。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述突脊包括顶侧和两个侧壁。

4.根据权利要求3的半导体器件，其中当所述器件在导通状态中运行时，沿侧壁中的至少一个形成导电反型层。

5.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括设置得邻近超级结层堆叠的场板。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述沟道区的突脊的宽度满足以下关系：d₁≤2×l_d,其中l_d表示在所述沟道区和栅极电介质之间的分界面处形成的耗尽区段的长度，栅极电介质设置在沟道区和栅极电极之间。

7.根据权利要求1的半导体器件，其中所述超级结层堆叠包括在堆叠方向上以交替方式堆叠的n掺杂和p掺杂层，堆叠方向相对于第一主表面垂直。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中所述超级结层堆叠包括在堆叠方向上以交替方式布置的n掺杂和p掺杂层，堆叠方向在平行于第一主表面和相对于深度方向垂直的方向上延伸。

9.根据权利要求1的半导体器件，其中沿第一方向测量的突脊的长度s1和相对于第一方向垂直地测量的突脊的宽度d1满足以下的关系：s1/d1>2.0。

10.根据权利要求1的半导体器件，其中源极区和漏极区设置在半导体衬底内并且在半导体衬底的深度方向上从第一主表面延伸到所述栅极电极延伸到的深度。

11.根据权利要求1的半导体器件，其中所述源极区和所述漏极区中的至少一个延伸到大于1μm的深度。

12.根据权利要求1的半导体器件，其中所述超级结层堆叠包括至少两个n掺杂层或至少两个p掺杂层。

13.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括：

源极触点，耦合到所述源极区；和

漏极触点，耦合到所述漏极区，

其中所述源极触点延伸到第一主表面并且所述漏极触点延伸到与第一主表面相对的第二主表面，并且其中所述漏极区在第一主表面的区处被绝缘。

14.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括：

源极触点，耦合到所述源极区；和

漏极触点，耦合到所述漏极区，

其中所述漏极触点延伸到第一主表面并且所述源极触点延伸到与第一主表面相对的第二主表面，并且其中所述源极区在第一主表面的区处被绝缘。

15.一种制造半导体器件的方法，包括在具有第一主表面的半导体衬底中形成晶体管，其中所述形成晶体管包括：

形成源极区、漏极区、沟道区、漂移区段和邻近沟道区的栅极电极，其中所述沟道区和所述漂移区段被形成为沿第一方向设置在所述源极区和所述漏极区之间，第一方向平行于第一主表面，其中形成所述沟道区包括形成沿第一方向延伸的突脊，并且形成所述漂移区段包括形成超级结层堆叠，

形成晶体管还包括形成接触沟槽以提供到源极区的连接，其中所述接触沟槽沿着其整个深度接触所述源极区。

16.根据权利要求15的方法，其中形成所述超级结层堆叠包括外延地生长不同掺杂层的序列。

17.根据权利要求16的方法，其中生长不同掺杂层的序列通过顺序地互换在生长不同掺杂层的生长过程期间馈送的掺杂剂的源来完成。

18.根据权利要求15的方法，其中形成沟道区在形成超级结层堆叠之后执行，并且其中形成沟道区包括外延生长过程。