[发明专利]一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路

权利要求书

1.一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其特征在于，包括MOSFET管（MI）、电流采样管（MII）、MOS管（M6）、MOSFET管（M3）、MOSFET管（M4）、电流源（Itrip）、电压比较器（VC）和电流比较器（IC）；所述功率MOSFET管（MI）的源极与电机电源电压（VBB）连接，栅极与所述电流采样管（MII）的栅极连接在一起，漏极分别与所述MOSFET管（M3）的漏极、所述电压比较器（VC）的输入端、和所述电流源（Itrip）的输入端连接；

所述电流采样管（MII）的源极与所述电机电源电压（VBB）连接，栅极与

所述MOSFEN管（MI）的栅极连接，漏极分别与所述MOSFET管（M4）

的漏极、所述电压比较器（VC）的输入端和所述MOS管（M6）的漏极连接；

所述MOSFET管（M3）的栅极与所述MOSFET管（M4）的栅极连接，源极分别与所述电机电源电压（VBB）和所述MOSFET管（MI）的栅极连接；

所述MOSFET管（M4）的漏极分别与所述电源电压（VBB）和所述MOSFET管（MII）连接；

所述电压比较器的输出端（IN）分别与所述MOS管（M6）的栅极和所述电流比较器（IC）的输入端连接；

所述电流源（Itrip）是所述电机的线圈电流；

所述MOS管（M6）的源极直接与地相连；

所述电流比较器（IC）的输入端输入基准电流（Iref）。

2.如权利要求1所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述电流采样管（MII）的栅极电压（G_UP）要大于所述电机电源电压（VBB）。

3.如权利要求1所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述过流保护电路还包括MOS管（M5），所述MOS管（M5）连接在所述电流采样管（MII）的漏极与所述MOS管（M6）的漏极之间，所述MOS管（M5）的漏极与所述电流采样管（MII）的漏极连接，源极与所述MOS管（M6）的漏极连接，钳位电压（VREG）接入所述MOS管（M5）的栅极。

4.如权利要求3所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述电压比较器（VC）包括若干MOSFET管、若干MOS管、三极管（Q1）和三极管（Q2）；

所述电压比较器（VC）的输入信号输入到所述三极管（Q1）的基极，负相输入信号输入到所述三极管（Q2）的基极；所述电压比较器（VC）的输出端位于所述MOS管（M24）和所述MOS管（M21）的漏极之间；

所述MOSFET管（MI）和所述电流采样管（MII）的栅极电压（G_UP）输入到所述MOSFET管（M11）、所述MOSFET管（M12）、所述MOSFET管（M13）和所述MOSFET管（M14）的源极；所述MOSFET管（M11）和所述MOSFET管（M12）、所述MOSFET管（M13）和所述MOSFET管（M14）是电流镜结构；

所述三极管（Q1）的集电极与所述MOSFET管（M12）的栅极和漏极连接，发射极与所述MOSFET管（M16）的漏极连接；所述三极管（Q2）的集电极与所述MOSFET管（M13）的栅极和漏极连接，发射极与所述MOSFET管（M16）的漏极连接；

所述钳位电压（VREG）输入到所述MOSFET管（M15）、所述MOSFET管（M16）和所述MOSFET管（M17）的栅极；所述MOSFET管（M15）的漏极与所述MOSFET管（M11）的漏极连接，源极与所述MOS管（M18）的栅极和漏极连接；所述MOSFET管（M16）的源极与所述MOS管（M20）的漏极连接；所述MOSFET管（M17）的漏极与所述MOSFET管（M14）的漏极连接，源极与所述MOS管（M12）的栅极和漏极连接；

电源电压（VDD）接入所述MOS管（M23）和所述MOS管（M24）的源极；所述MOS管（M18）、所述MOS管（M19）、所述MOS管（M20）、所述MOS管（M21）和所述MOS管（M22）的源极直接接地；所述MOS管（M20）的栅极与偏置电流（BIASN）连接；所述MOS管（M19）、所述MOS管（M21）、所述MOS管（M23）和所述MOS管（M24）是电流镜结构。