[发明专利]一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构有效
| 申请号： | 201310637095.3 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103715118A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 冯昌延 | 申请（专利权）人： | 靖江先锋半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 靖江市靖泰专利事务所 32219 | 代理人： | 陆平 |
| 地址： | 214500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 介质 刻蚀 盖板 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，包括沟槽盖板、盖板主体，其特征在于：盖板主体设置有凸台面，凸台面的下方台阶面上设置有冷却液沟槽，并由沟槽盖板覆盖其上。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，其特征在于：所述的沟槽盖板、盖板主体所采用的材料为铝6061-T6。
3.根据权利要求1所述的一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，其特征在于：所述的冷却液沟槽设置为环形沟槽，环形沟槽的启始端与未端设置有通孔作为冷却液进出口。
4.根据权利要求1所述的一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，其特征在于：所述的凸台面及侧面，需进行喷砂和草酸阳极化处理。
5.根据权利要求1所述的一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，其特征在于：所述的沟槽盖板与盖板主体的连接为焊接，焊接表面不得有焊疤余留，表面确保平面度并用120PSIG水压测试1小时不泄漏为合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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