[发明专利]一种吸取芯片的装置及方法在审
申请号: | 201310637367.X | 申请日: | 2013-12-02 |
公开(公告)号: | CN104681476A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 魏元华;王伦波;刘晓明 | 申请(专利权)人: | 无锡华润安盛科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸取 芯片 装置 方法 | ||
1.一种吸取芯片的装置,其特征在于,该装置包括吸台、设在所述吸台上的吸嘴、及设在所述吸嘴上的吸取部;
所述的吸取部是多边吸唇;
所述的吸嘴上设置有多边吸唇与吸台内部相通的真空吸孔;
所述的多边吸唇是层叠间隔排列且形成多个吸唇部的软性体;
所述的多边吸唇中每个吸唇部能够形成独立的密封范围。
2.根据权利要求1所述的一种吸取芯片的装置,其特征在于,所述软性体是向外凸出的。
3.根据权利要求1所述的一种吸取芯片的装置,其特征在于,所述的软性体是橡胶材料。
4.根据权利要求3所述的一种吸取芯片的装置,其特征在于,所述的软性体是片状软体或者管状软体。
5.根据权利要求2或3或4所述的一种吸取芯片的装置,其特征在于,所述的多边吸唇是方的环状逐层排列或者圆的环状逐层排列或者三角的环状逐层排列。
6.根据权利要求1所述的一种吸取芯片的装置,其特征在于,所述的真空吸孔设置于吸嘴和多边吸唇的中心位置上。
7.根据权利要求1所述的一种吸取芯片的装置,其特征在于,还包括在吸取部的下方设有配合吸取部真空吸取芯片的顶针。
8.一种吸取芯片的方法,其特征在于,应用于如权利要求1或者6所述的一种吸取芯片的装置,所述方法的具体步骤如下:
(1)通过顶针把在载体上的芯片顶起;
(2)移动多边吸唇到芯片表面上,并且下压,空气从真空吸孔进入吸台的内部,多边吸唇上的每个吸唇部和芯片表面形成真空范围密封;
(3)最后将芯片吸取。
9.根据权利要求8所述的一种吸取芯片的方法,其特征在于,所述的载体是薄膜。
10.根据权利要求9所述的一种吸取芯片的方法,其特征在于,所述的芯片是FC芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造