[发明专利]一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法

权利要求书

1.一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，采用喷射沉积快凝成形与热变形-强磁场热处理双重取向技术相结合的复合方法制备晶粒细小、晶界均匀分布、取向完整的各向异性钕铁硼磁体，提高其磁性能、力学性能、温度稳定性和耐腐蚀性能；其步骤为：

A) 按照磁体成分称量各元素原料，将其混合；

B) 将混合原料放入真空沉积炉中进行熔炼，待精炼后进行喷射沉积成形，获得钕铁硼合金坯件；

C) 将钕铁硼合金坯件进行热变形，获得磁织构；

D) 将热变形后的钕铁硼合金坯件进行真空强磁场热处理，进一步强化磁织构，制得各向异性钕铁硼磁体；

E) 将各向异性钕铁硼磁体进行真空低温回火，改善晶界结构，提高性能，获得高性能各向异性钕铁硼磁体。

2. 根据权利要求1所述的一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤A)的磁体成分的原子百分比为Nd_aR_bFe_100-a-b-c-dB_cM_d，其中13≤a+b≤18，0.1≤b≤5，6≤c≤8，0.1≤d≤4，R为Pr、Dy、Tb、Ho、Gd元素中的一种或几种，M为Al、Cu、Ga、Mg、Zn、Sn、Si、Co、Ni、Nb、Zr、Ti、W、V、Hf元素中一种或几种。

3. 根据权利要求1所述的一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤B)的喷射沉积成形的参数为：雾化介质为纯度大于99.99%的氩气或氦气，雾化压力为1-3MPa，雾化温度为1400-1500℃，沉积盘旋转速度为10-50rpm，沉积盘下降速度为1-8mm/s，沉积距离为300-600mm。

4. 根据权利要求1所述的一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤C)的热变形参数为：温度为650-1000℃，压力为50-300MPa。

5. 根据权利要求1所述的一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤D)的真空强磁场热处理参数为：磁场强度为2-20T，热处理温度为500-900℃，热处理时间为1-4h。

6. 根据权利要求1所述的一种高性能各向异性钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述骤E)的低温回火参数为：温度为480-650℃，时间为0.5-4h。