[发明专利]一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法有效
申请号: | 201310638198.1 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103632835A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 崔熙贵;崔承云;程晓农;许晓静;张洁 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F3/16 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 钕铁硼 磁体 快速 成形 方法 | ||
1.一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法,其特征在于,采用速凝甩带、磁场辅助激光熔化沉积与热变形相结合的复合方法以逐层铺带与逐层取向熔化沉积的方式快速制备高性能钕铁硼磁体;其主要步骤为:
A) 按照磁体成分称量各元素原料,将其混合;
B) 通过速凝甩带方法制得钕铁硼合金薄带;
C) 将钕铁硼合金薄带逐层铺带,在保护气体或真空下将钕铁硼合金薄带逐层进行磁场辅助激光熔化沉积,制得钕铁硼磁体;
D) 将钕铁硼磁体进行热变形,强化磁织构;
E) 将热变形钕铁硼磁体进行真空低温回火,改善晶界结构,提高磁体性能。
2. 根据权利要求1所述的一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法,其特征在于,所述步骤A)中的磁体成分的原子百分比为NdaRbFe100-a-b-c-dBcMd,其中14≤a+b≤18,0.1≤b≤5,6≤c≤8,0.1≤d≤4,R为Pr、Dy、Tb、Ho、Gd元素中的一种或几种,M为Al、Cu、Ga、Mg、Zn、Sn、Si、Co、Ni、Nb、Zr、Ti、W、V、Hf元素中一种或几种。
3. 根据权利要求1所述的一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法,其特征在于,所述步骤C)中的磁场的磁场强度为10-20T。
4. 根据权利要求1所述的一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法,其特征在于,所述步骤C)中的激光为连续激光,激光熔化沉积的参数为:激光功率300-5000W,扫描速度10-100mm/s,光斑直径0.2-1mm,搭接率20%-80%。
5. 根据权利要求1所述的一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法,其特征在于,所述步骤D)中的热变形参数为:温度为650-1000℃,压力为50-300MPa。
6. 根据权利要求1所述的一种高性能钕铁硼磁体的快速成形方法,其特征在于,所述步骤E)中的真空低温回火温度为480-650℃,回火时间为0.5-4h。
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