[发明专利]设有可提高对称性的导气装置的泵以及等离子处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体生产设备，具体涉及一种设有可提高对称性的导气装置的泵以及等离子处理装置。

背景技术

目前，即使众所周知对称泵（symmetrical pumping）是大部分半导体生产设备设计中的关键点，但实际设计对称结构反应腔的过程中，无法保证其泵也对称。例如，钟摆阀（pendulum value）广泛应用于压力控制和涡轮泵（Turbo pump，TP）保护，钟摆阀的工作原理是通过非轴对称（not axis-symmetrical）摆的运动实现阀的开启和关闭，如果所设计的反应腔中设有钟摆阀，就会导致即使反应腔的结构设计成完全对称，其内部也会产生“非对称性”（non-symmetry）。

VAT公司提供的下游控制阀（downstream control valve）是一款对称的压力控制阀。该下游控制阀设置于反应腔的下方，气路连通在涡轮泵与反应腔之间，涡轮泵与下游控制阀实现对反应腔气体的流动控制和泵浦。阀体顶部设有横梁（cross bar），通过上下调整横梁采用垂直运动的方式控制下游控制阀的开启和关闭，从而避免了类似于钟摆阀摆动运动所造成的内部“非对称性”。然而，该类阀的缺点在于，阀体顶部设置的横梁会对气体的流动产生不对称性影响，从而造成整个半导体处理装置的“非对称性”。

发明内容

本发明提供一种设有可提高对称性的导气装置的泵以及等离子处理装置，通过尺寸不一的分隔装置，自补偿反应腔与泵中其他的不对称性，从而实现设备整体的对称。

为实现上述目的，本发明提供一种用于等离子处理装置的导气装置，等离子处理装置包含反应腔、设置于反应腔的底部的基座、设置于反应腔下方的泵，泵的进气口与反应腔气路连通；

其特点是，上述导气装置气路连通于所述泵与反应腔之间，反应腔的电极区域通过该导气装置进行排气或抽真空工艺；

上述导气装置包含：

外壳，其设有上下连通的气道，该气道的上端气路连通反应腔，下端气路连通至泵；

中心管道，其设置于外壳内的气道中，该中心管道上端气路连通反应腔，下端封闭；该中心管道内形成中心气道，中心管道与外壳之间形成外层气道；

若干分隔结构，其由中心管道侧壁连接至外壳的内侧壁，将外层气道分隔成若干个相互连通的外层子气道，外层子气道气路连通泵。

上述的分隔结构设置为中空或实心的。

上述的分隔结构中设有辅助气道，该辅助气道由中心管道内部延伸至外壳的外部，中心气道通过辅助气道与外界连通。

上述辅助气道中设有气路开关。

各个上述分隔结构的轴向宽度不相等。

该导气装置中设有四个分隔结构，四个分隔结构相互间的间隔距离相等；四个分隔结构将外层气道分隔为四个外层子气道。

四个上述分隔结构两两相对设置，其中相对设置的一对分隔结构的轴向宽度相等。

一种设有上述导气装置的对称泵组件，其设置于反应腔的下方、位于静电卡盘与电极区域的下方、并与反应腔气路连通；

其特点是，该对称泵组件包含：泵、气路连通在泵与反应腔之间的下游控制阀、气路连通在下游控制阀与反应腔之间的导气装置；

上述下游控制阀的顶部设有用于控制阀开闭的横梁；

上述导气装置包含有分隔结构，该分隔结构正好遮盖在下游控制阀的横梁上方，从而该横梁不会穿过各个分隔结构所分隔成的各个外层子气道，使各个外层子气道从晶圆级来看是互相相同和对称的。

上述导气装置包含有四个分隔结构，四个分隔结构两两相对设置，其中相对设置的分隔结构为一组，两组分隔结构的中轴线相互垂直；该两组分隔结构中的一组与下游控制阀的横梁平行设置，且正好设置于该横梁的上方。

一种设有上述对称泵组件的等离子处理装置，该装置包含：反应腔、平行设置于反应腔顶部和底部的上电极和下电极，设置于反应腔内底部的静电卡盘；其特征在于，所述对称泵组件设置于所述等离子处理装置的反应腔的下方，并与所述反应腔气路连通，用于对反应腔进行抽真空与水、气排放。

本发明一种设有可提高对称性的导气装置的泵以及等离子处理装置和现有技术相比，其优点在于，本发明导气装置设有分隔装置，可自补偿反应腔与/或泵中其他的不对称性，从而实现等离子处理装置的整体对称性；

本发明的分隔装置中设有辅助气道，可将反应腔中的水、气排出至外界。

附图说明

图1为本发明导气装置的结构示意图；

图2为本发明导气装置的剖视图；