[发明专利]一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法

权利要求书

1.一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，其特征在于，该制备方法具体为：

1）根据具体需要，预先加工钽坩埚体和钽坩埚盖；

2)对钽坩埚体和钽坩埚盖进行清洗处理处理，去除表面油污及杂质；

3)将钽坩埚体和钽坩埚盖置于封闭的装有高纯石墨粉的石墨坩埚内，钽坩埚体和钽坩埚的内外各表面均匀与石墨粉接触；

4)将石墨坩埚放置于加热炉内，在设定条件下依次进行低温、高温加热处理；

5)取出处理后的钽坩埚体和钽坩埚盖，清洗、烘干后得到表面经过碳化的TaC坩埚。

2.如权利要求1所述的用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，其特征在于，所述石墨粉纯度＞4N，颗粒度＜100um。

3.如权利要求1所述的用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中清洗处理处理步骤包括：

A)将坩埚在室温下依次通过丙酮、酒精、去离子水超声清洗5-10分钟，以去除坩埚表面的油污；

B)再将坩埚通过HCl：HNO₃混合溶液进行加热清洗清洗温度为40-80℃，时间约为30分钟，以去除坩埚表面其金属杂质；

C)最后将坩埚经过去离子水煮沸10分钟，重复3次；

D)经过上述过程清洗的坩埚经过烤箱烘干待用。

4.如权利要求1所述的用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，其特征在于，所述HCl：HNO₃按照体积3:1混合得到混合溶液。

5.如权利要求1所述的用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，其特征在于，所述步骤4）中具体处理过程为：

 A)将石墨坩埚放置于加热炉内，炉体抽真空至10^-2Pa；

B) 向炉体中充入Ar气至100-300Pa，作为保护气体，然后将加热炉从室温升温至1100℃并维持1-2h，升温速率为200-300℃/h；

C) 维持炉体内Ar气压力100-300Pa，将炉体温度从1100℃升温至1500℃并维持1-2h，升温速率为200-300/h；

 D)维持炉体内Ar压力100-300Pa，将炉体温度从1500℃升温至2000℃并维持2-3h, 升温速率为200-300/h；

 E)维持炉体压力100-300Pa，再将炉体温度从2000℃缓慢升温至2400℃,并恒定3-5h，升温速率为100-200/h；

F)恒温结束后，将温度从2400缓慢降至室温，降温速率为200-300/h，降温过程中维持加热炉内Ar气压力为100-300Pa。